Fundamental study of high-performance, low-power transistor by hetero interface formation
Fundamental study of high-performance, low-power transistor by hetero interface formation
异质界面形成高性能、低功耗晶体管的基础研究
批准号：
25289082
负责人：
NIWA Masaaki
金额：
$11.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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Carpet-Bombing-like Concaves on SiC MOS Capacitors Formed by Dielectric Breakdown
SiC MOS 电容器上因介质击穿而形成的地毯式凹坑
SiC MOS 电容器上因介质击穿而形成的地毯式凹坑
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Soshi Sato, Yuki Hiroi, Kikuo Yamabe, Makoto Kitabatake, Tetsuo Endoh, and Masaaki Niwa]
通讯作者：
and Masaaki Niwa
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター
东北大学国际综合电子研究开发中心
东北大学国际综合电子研究开发中心
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価
热氧化 SiC MOS 电容器介质击穿痕迹形状的评估
热氧化 SiC MOS 电容器介质击穿痕迹形状的评估
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤創志, 廣井佑紀, 山部紀久夫, 北畠真, 遠藤哲郎, 丹羽正昭]
通讯作者：
丹羽正昭
Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal–oxide–semiconductor capacitors
碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中形成的地毯式轰炸凹面的多重击穿模型
碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中形成的地毯式轰炸凹面的多重击穿模型
DOI：
10.7567/jjap.53.08la01
发表时间：
2014
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[S. Sato, Y. Hiroi, K. Yamabe, M. Kitabatake, T. Endoh, M. Niwa]
通讯作者：
M. Niwa
Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所
使用多晶硅电极对 SiC MOS 电容器进行介质击穿后发现的特征击穿位置
使用多晶硅电极对 SiC MOS 电容器进行介质击穿后发现的特征击穿位置
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤創志, 山部紀久夫, 遠藤哲郎, 丹羽正昭]
通讯作者：
丹羽正昭
共 7 条
Study of ion transport mechanism in ultra-thin electrolyte membrane for low temperature operation of solid oxide fuel cell
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批准号：18H01467
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.23万
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财政年份：2018
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负责人：NIWA Masaaki
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依托单位：