Fundamental study of high-performance, low-power transistor by hetero interface formation

异质界面形成高性能、低功耗晶体管的基础研究

• 批准号: 25289082
• 负责人: NIWA Masaaki
• 金额: $ 11.56万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25289082/
• 关键词: 絶縁破壊機構; 表面・界面物理解析; 信頼性物理; ゲート絶縁膜; 結晶性; ヘテロエピタキシャル成長; 透過型電子顕微鏡; SiC MOS; GaN on Si(001); 結晶欠陥; 発光解析; ヘテロ界面; 断面TEM観察; 炭化ケイ素; ＭＯＳゲート絶縁膜; ＴＤＤＢ; Soft Breakdown; Hard Breakdown; 経時酸化膜絶縁破壊; 絨毯爆撃状絶縁破壊痕; SiO2

项目成果

Carpet-Bombing-like Concaves on SiC MOS Capacitors Formed by Dielectric Breakdown

SiC MOS 电容器上因介质击穿而形成的地毯式凹坑

• 发表时间: 2013
• 作者: Soshi Sato;Yuki Hiroi;Kikuo Yamabe;Makoto Kitabatake;Tetsuo Endoh;and Masaaki Niwa
• 通讯作者: and Masaaki Niwa

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

东北大学国际综合电子研究开发中心

熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価

热氧化 SiC MOS 电容器介质击穿痕迹形状的评估

• 发表时间: 2013
• 作者: 佐藤創志;廣井佑紀;山部紀久夫;北畠真;遠藤哲郎;丹羽正昭
• 通讯作者: 丹羽正昭

Multiple breakdown model of carpet-bombing-like concaves formed during dielectric breakdown of silicon carbide metal–oxide–semiconductor capacitors

碳化硅金属氧化物半导体电容器介电击穿过程中形成的地毯式轰炸凹面的多重击穿模型

• DOI: 10.7567/jjap.53.08la01
• 发表时间: 2014
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: S. Sato;Y. Hiroi;K. Yamabe;M. Kitabatake;T. Endoh;M. Niwa
• 通讯作者: M. Niwa

Poly-Si電極を用いたSiC MOSキャパシタの絶縁破壊後に見出した特徴的な破壊箇所

使用多晶硅电极对 SiC MOS 电容器进行介质击穿后发现的特征击穿位置

• 发表时间: 2016
• 作者: 佐藤創志;山部紀久夫;遠藤哲郎;丹羽正昭
• 通讯作者: 丹羽正昭