High-Performance Monolithic Sensor Technology for Corrosive Environments
适用于腐蚀环境的高性能单片传感器技术
基本信息
- 批准号:DE210100852
- 负责人:
- 金额:$ 31万
- 依托单位:
- 依托单位国家:澳大利亚
- 项目类别:Discovery Early Career Researcher Award
- 财政年份:2021
- 资助国家:澳大利亚
- 起止时间:2021-06-29 至 2024-06-28
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Based on my recent discovery on giant thermo-/piezo-resistance, this project aims to enhance fundamental understanding and enable the development of high performance silicon carbide based sensors. The project employs these knowledge advancements to develop new sensors with a sensitivity of thousand-fold larger than that of conventional sensors. The project develops multiple sensors and light harvesting cells to be integrated into a monolithic platform that can function in corrosive environments. The sensor technology can be utilised for monitoring structural health, reducing failure and extending lifetime of structures, providing cutting-edge knowledge to petrochemical and mining industries which are of particular importance to Australia.
基于我最近对巨型热/压阻的发现,该项目旨在加强对高性能碳化硅传感器的基本理解和开发。该项目利用这些知识进步来开发新的传感器,其灵敏度比传统传感器大上千倍。 该项目开发了多个传感器和光收集单元,将其集成到一个可以在腐蚀性环境中工作的单片平台中。传感器技术可用于监测结构健康,减少故障和延长结构寿命,为石化和采矿业提供尖端知识,这对澳大利亚特别重要。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
A/Prof Toan Dinh其他文献
A/Prof Toan Dinh的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('A/Prof Toan Dinh', 18)}}的其他基金
Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
- 批准号:
DP240102230 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Discovery Projects
相似国自然基金
单一型(monolithic)Ti/Zr基大块非晶合金韧脆转变的内在机理研究
- 批准号:50601021
- 批准年份:2006
- 资助金额:24.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
Monolithic generation & detection of squeezed light in silicon nitride photonics (Mono-Squeeze)
单片一代
- 批准号:
EP/X016218/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Research Grant
Monolithic generation & detection of squeezed light in silicon nitride photonics (Mono-Squeeze)
单片一代
- 批准号:
EP/X016749/1 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Research Grant
Collaborative Research: FuSe: Monolithic 3D Integration (M3D) of 2D Materials-Based CFET Logic Elements towards Advanced Microelectronics
合作研究:FuSe:面向先进微电子学的基于 2D 材料的 CFET 逻辑元件的单片 3D 集成 (M3D)
- 批准号:
2329189 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
FuSe-TG: Monolithic Heterointegration of GeSn and SiGeSn Alloys with Silicon Platforms
FuSe-TG:GeSn 和 SiGeSn 合金与硅平台的单片异质集成
- 批准号:
2235447 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
EAGER: Quantum Manufacturing: Monolithic integration of telecommunication-band quantum emitters in the 4H-SiC-on-insulator platform
EAGER:量子制造:电信频段量子发射器在绝缘体上 4H-SiC 平台中的单片集成
- 批准号:
2240420 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
Development of chalcogenide based monolithic thermoelectric generators for energy harvesting
用于能量收集的基于硫族化物的单片热电发电机的开发
- 批准号:
23K13270 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ASCENT: Reducing greenhouse emissions with ultra-efficient High-Voltage Monolithic Bidirectional Transistors
ASCENT:利用超高效高压单片双向晶体管减少温室气体排放
- 批准号:
2328137 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
Collaborative Research: FuSe: Monolithic 3D Integration (M3D) of 2D Materials-Based CFET Logic Elements towards Advanced Microelectronics
合作研究:FuSe:面向先进微电子学的基于 2D 材料的 CFET 逻辑元件的单片 3D 集成 (M3D)
- 批准号:
2329192 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
Semiconductor-based Terahertz Traveling Wave Amplifiers for Monolithic Integration
用于单片集成的半导体太赫兹行波放大器
- 批准号:
2329940 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Standard Grant
Development and application of compound semiconductor monolithic advanced unitary conversion photonic integrated circuits
化合物半导体单片先进单一转换光子集成电路的开发与应用
- 批准号:
23H00272 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 31万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)