Porous InGaN for Red LEDs (PIRL)
Porous InGaN for Red LEDs (PIRL)
批准号:
107470
负责人:
金额:
$44.59万
依托单位国家:
英国
项目类别:
CR&D Bilateral
财政年份:
2021
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2021 至 --
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基于纳米柱的InGaN单量子点构建及超低
功耗光电突触器件
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2025
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负责人:赵宇坤
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依托单位:
基于InGaN/GaN异质结极化势垒的高灵敏高速紫外-可见光探测及双色分辨研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2024
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负责人:吕泽升
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依托单位:
外差式InGaN量子阱梁光机电一体化微腔加速度计传感机理
研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:
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依托单位:
AlGaN/InGaN基 LED 发光材料物性研究及优化设计
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批准号:2024JJ7377
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2024
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负责人:张顺如
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依托单位:
面向高增益、高速、波长选择InGaN可见光探测器的缺陷抑制与增益结构研究
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批准号:62305398
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30.00万元
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批准年份:2023
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负责人:吕泽升
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依托单位:
基于二维MXene的外延高效InGaN纳米柱光电极的制备及产氢机理研究
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:10.0万元
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批准年份:2023
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负责人:林静
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依托单位:
高密度高均匀性自组装InGaN量子点的可控生长及绿光量子点激光器研究
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批准号:62304244
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:杨文献
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依托单位:
InGaN辐照缺陷的微观动力学行为及其对载流子性质影响研究
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批准号:12305302
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:张硕
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依托单位:
基于高质量外延模板的InGaN基红光Micro-LED芯片研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:53万元
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批准年份:2022
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负责人:庄喆
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依托单位:
InGaN/GaN红光材料V坑缺陷主动调控机理与方法研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:姚威振
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依托单位: