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High permittivity dielectrics on Ge for end of Roadmap application

Ge 上的高介电常数电介质用于路线图应用的结束

基本信息

批准号：
EP/I014047/1
负责人：
John Robertson
金额：
$ 36.03万
依托单位：
University of Cambridge
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2011
资助国家：
英国
起止时间：
2011 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FI014047%2F1
关键词：
permittivity dielectrics Ge end Roadmap

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

AlN-GeO2 based gate stack for improved reliability of Ge MOSFETs

DOI：
10.1016/j.mee.2015.04.081
发表时间：
2015-11
期刊：
Microelectronic Engineering
影响因子：
2.3
作者：
Hongfei Li;Yuzheng Guo;J. Robertson
通讯作者：
Hongfei Li;Yuzheng Guo;J. Robertson

Yttrium passivation of defects in GeO2 and GeO2/Ge interfaces

DOI：
10.1063/1.4974291
发表时间：
2017-01
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Hongfei Li;J. Robertson
通讯作者：
Hongfei Li;J. Robertson

Electron spin resonance signature of the oxygen vacancy in HfO 2

HfO 2 中氧空位的电子自旋共振特征

DOI：
10.1063/1.4751110
发表时间：
2012
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Gillen R
通讯作者：
Gillen R

Electronic structure of lanthanide oxide high K gate oxides

DOI：
10.1016/j.mee.2013.03.011
发表时间：
2013-09
期刊：
Microelectronic Engineering
影响因子：
2.3
作者：
R. Gillen;J. Robertson
通讯作者：
R. Gillen;J. Robertson

AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels

DOI：
10.1063/1.4951004
发表时间：
2016-05
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Yuzheng Guo;Hongfei Li;J. Robertson
通讯作者：
Yuzheng Guo;Hongfei Li;J. Robertson

DOI：
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作者：
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

John Robertson其他文献

A unified mid-gap defect model for amorphous GeTe phase change material

非晶GeTe相变材料统一的中带隙缺陷模型

DOI：
10.1063/1.5138998
发表时间：
2020-02
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Huanglong Li;John Robertson
通讯作者：
John Robertson

Implementation of Neuronal Intrinsic Plasticity by Oscillatory Device in Spiking Neural Network

尖峰神经网络中振荡装置实现神经元内在可塑性

DOI：
10.1109/ted.2022.3152468
发表时间：
2022-04
期刊：
IEEE Transactions on Electron Device
影响因子：
0
作者：
Lindong Wu;Zongwei Wang;Lin Bao;Zhizhen Yu;Qingyu Chen;Yaotian Ling;Yabo Qin;Shengyu Bao;Zhuoya Chen;Gu;ong Bai;Yimao Cai;John Robertson;Ru Huang
通讯作者：
Ru Huang

The Presence of Autoantibodies to Tumour-Associated Antigens Can Predate Clinical Diagnosis of Small Cell Lung Cancer

DOI：
10.1378/chest.10476
发表时间：
2010-10-01
期刊：
Conference abstract
影响因子：
作者：
Caroline Chapman;John Robertson;Andrea Murray;Maarten Titulaer;Bethan Lang;Alison Thorpe;Gozzard Paul;Jan Verschuuren;Paul Maddison
通讯作者：
Paul Maddison

A hybrid system of mixture models for the prediction of particle size and shape, density, and flowability of pharmaceutical powder blends

DOI：
10.1016/j.ijpx.2024.100298
发表时间：
2024-12-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Mohammad Salehian;Jonathan Moores;Jonathan Goldie;Isra' Ibrahim;Carlota Mendez Torrecillas;Ishwari Wale;Faisal Abbas;Natalie Maclean;John Robertson;Alastair Florence;Daniel Markl
通讯作者：
Daniel Markl

96: Comparing Mortality of Chronic Peritoneal and Maintenance Hemodialysis Patients in the 21<sup>st</sup> Century Up to 5 Years

DOI：
10.1053/j.ajkd.2008.02.102
发表时间：
2008-04-01
期刊：
Conference abstract
影响因子：
作者：
Rulin Cai Hechter;Elani Streja;Rajnish Mehrotra;Csaba Kovesdy;Charles J. McAllister;John Robertson;Joel D. Kopple;Jennie Jing;Kamyar Kalantar-Zadeh
通讯作者：
Kamyar Kalantar-Zadeh