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Neuromorphic applications of silicon oxide memristors

Neuromorphic applications of silicon oxide memristors
氧化硅忆阻器的神经形态应用
批准号:
1917855
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
英国
项目类别:
Studentship
财政年份:
2017
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2017 至 --

项目摘要

项目成果

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英文摘要
The project will investigate the potential for silicon oxide resistance switches (memristors) to be used in neuromorphic systems for non-Von Neumann computation. Through a series of experimental and modelling studies it will develop the elements of hardware neural networks and establish to what degree existing CMOS systems can be replaced by memristive systems. This has direct relevance to the EPSRC ICT theme research area of microelectronics device technology
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Memristor-Based Edge Detection for Spike Encoded Pixels.
基于忆阻器的尖峰编码像素边缘检测。
DOI: 10.3389/fnins.2019.01386
发表时间: 2019
期刊: Frontiers in neuroscience
影响因子: 4.3
作者: [Mannion DJ]
通讯作者: Mannion DJ
A nanoscale analysis method to reveal oxygen exchange between environment, oxide, and electrodes in ReRAM devices
一种纳米级分析方法,可揭示 ReRAM 器件中环境、氧化物和电极之间的氧交换
DOI: 10.1063/5.0070046
发表时间: 2021
期刊: APL Materials
影响因子: 6.1
作者: [Cox H]
通讯作者: Cox H
国内基金
海外基金
Applications of AI in Market Design
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    外国青年学者研 究基金项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    Manshu Khanna
  • 依托单位:
英文专著《FRACTIONAL INTEGRALS AND DERIVATIVES: Theory and Applications》的翻译
  • 批准号:
    12126512
  • 项目类别:
    数学天元基金项目
  • 资助金额:
    12.0万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    李常品
  • 依托单位:
Capture and Release of Droplets Using Advanced Materials for High Technology Applications
  • 批准号:
    52073127
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    58.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    Alidad Amirfazli
  • 依托单位: