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Single Event Effects in Resistive Random Access Memory Using Amorphous SiC

Single Event Effects in Resistive Random Access Memory Using Amorphous SiC
使用非晶 SiC 的电阻随机存取存储器中的单粒子效应
批准号:
2388128
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
英国
项目类别:
Studentship
财政年份:
2017
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2017 至 --

项目摘要

项目成果

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英文摘要
Resistive random access memory (ReRAM) are structures that exhibit both a low resis-tance and high resistance states when a specic voltage bias is placed across the cell. Inthis report a focus on the use of silicon carbide based cells has been conducted, due toits high resistive ratio and wide use in the back end of the line fabrication.
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甲醇合成汽油工艺中烯烃催化聚合过程的单元步骤(single event)微动力学理论研究
  • 批准号:
    21306143
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    25.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    金放
  • 依托单位: