Development of high breakdown, high power InP pHEMTS for millimeter wave frequency applications

开发用于毫米波频率应用的高击穿、高功率 InP pHEMTS

基本信息

  • 批准号:
    PP/E00797X/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.53万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2008 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Professor Mohamed Missous and his co-workers at the University of Manchester have developed and patented a novel prototype high breakdown voltage (>15V) InGaAs-InP-InAlAs pHEMT (pseudomorphic High electron mobility transistor). These devices, which have been fabricated using Molecular Beam Epitaxy, are ideally suited to millimetre wave applications requiring both high power and ultra low noise, such as defence, security & medical imaging and telecommunications. The purpose of the FOF project is threefold: 1. To design, fabricate and test the new InP HEMT's but at an operating frequency of > 70GHz, which is the required operating frequency for car radar imaging systems and to confirm high breakdown characteristics and thus potential high power. 2. To undertake a detailed market assessment to identify the key commercial applications of the technology, the level of fit between the needs of those applications and the performance of the InGaAs-InP-InAlAs pHEMTs and identify possible licensees for the technology 3. To market the technology to potential licensees or joint venture partners via visits, networking on the conference circuit and articles in scientific and trade journals.
曼彻斯特大学的Mohamed Missous教授和他的同事开发了一种新型的高击穿电压(> 15 V)InGaAs-InP-InAlAs pHEMT(赝晶高电子迁移率晶体管)原型并获得专利。这些器件采用分子束外延技术制造,非常适合需要高功率和超低噪声的毫米波应用,如国防、安全和医疗成像以及电信。FOF项目的目的有三个:1。设计、制造和测试新型InP HEMT,但工作频率> 70 GHz,这是汽车雷达成像系统所需的工作频率,并确认高击穿特性,从而确定潜在的高功率。2.进行详细的市场评估,以确定该技术的主要商业应用,这些应用的需求与InGaAs-InP-InAlAs pHEMT的性能之间的匹配程度,并确定该技术的可能许可证持有人3。通过访问、在会议上建立联系以及在科学和贸易期刊上发表文章,向潜在的许可证持有者或合资企业合作伙伴推销技术。

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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  • DOI:
    10.1109/sm2acd.2010.5672362
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hamaizia Z
  • 通讯作者:
    Hamaizia Z
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Z. Hamaizia;N. Sengouga;Mustapha C. E. Yagoub;Mohamed Missous
  • 通讯作者:
    Mohamed Missous

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  • 资助金额:
    $ 11.53万
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