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Conventional and selective area LP-MOVPE growth of InGaAsP/InAsP/InP reduced dimensionality structures for optoelectronic device develop- ment

Conventional and selective area LP-MOVPE growth of InGaAsP/InAsP/InP reduced dimensionality structures for optoelectronic device develop- ment
用于光电器件开发的 InGaAsP/InAsP/InP 降维结构的常规和选择性区域 LP-MOVPE 生长
批准号：
181291-1995
负责人：
Masut, Remo
金额：
$9.3万
依托单位：
École Polytechnique de Montréal
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Strategic Projects - Group
财政年份：
1997
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1997-01-01 至 1998-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=110171
关键词：
ConventionalselectiveareaLPMOVPE

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Design, synthesis and advanced characterization of functional materials and devices
  • 批准号：
    RGPIN-2016-06417
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.4万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Masut, Remo
  • 依托单位：
    École Polytechnique de Montréal
Heterogeneous semiconductors: epitaxy and electronic properties
  • 批准号：
    9387-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    2015
  • 负责人：
    Masut, Remo
  • 依托单位：
    École Polytechnique de Montréal
Heterogeneous semiconductors: epitaxy and electronic properties
  • 批准号：
    9387-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Masut, Remo
  • 依托单位：
    École Polytechnique de Montréal
Heterogeneous semiconductors: epitaxy and electronic properties
  • 批准号：
    9387-2011
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    Masut, Remo
  • 依托单位：
    École Polytechnique de Montréal
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新型M4受体选择性拮抗剂的研究