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(GA,IN) As ternary substrates for ultra-high frequency low-noise high electron mobility transistor

(GA,IN) As ternary substrates for ultra-high frequency low-noise high electron mobility transistor
(GA,IN)作为超高频低噪声高电子迁移率晶体管的三元衬底
批准号：
193409-1996
负责人：
Bolognesi, Colombo
金额：
$4.34万
依托单位：
Simon Fraser University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
财政年份：
1998
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1998-01-01 至 1999-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=135193
关键词：
GAternarysubstratesultrafrequency

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Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
  • 批准号：
    170824-2003
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.08万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    Bolognesi, Colombo
  • 依托单位：
    Simon Fraser University
Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
  • 批准号：
    170824-2003
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.08万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Bolognesi, Colombo
  • 依托单位：
    Simon Fraser University
Midwave antimonide infrared photodetectors for 2-5 micron operation
  • 批准号：
    306659-2004
  • 项目类别：
    Strategic Projects - Group
  • 资助金额：
    $11.59万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    Bolognesi, Colombo
  • 依托单位：
    Simon Fraser University
Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
  • 批准号：
    170824-2003
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.08万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    Bolognesi, Colombo
  • 依托单位：
    Simon Fraser University
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