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Ultrahigh-speed InP/GaAsSb/InP DHBTs for high bit rate applications
适用于高比特率应用的超高速 InP/GaAsSb/InP DHBT
基本信息
- 批准号：257792-2002
- 负责人：
- 金额：$ 5.78万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Strategic Projects - Group
- 财政年份：2002
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2002-01-01 至 2003-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
用于高带宽电信应用的先进半导体材料和器件
- 批准号：
170824-2003 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
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- 批准号：
170824-2003 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Midwave antimonide infrared photodetectors for 2-5 micron operation
适用于 2-5 微米操作的中波锑化物红外光电探测器
- 批准号：
306659-2004 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
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- 批准号：
170824-2003 - 财政年份：2004
- 资助金额：
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Discovery Grants Program - Individual
Midwave antimonide infrared photodetectors for 2-5 micron operation
适用于 2-5 微米操作的中波锑化物红外光电探测器
- 批准号：
306659-2004 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Ultrahigh-speed InP/GaAsSb/InP DHBTs for high bit rate applications
适用于高比特率应用的超高速 InP/GaAsSb/InP DHBT
- 批准号：
257792-2002 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Ultrahigh-speed InP/GaAsSb/InP DHBTs for high bit rate applications
适用于高比特率应用的超高速 InP/GaAsSb/InP DHBT
- 批准号：
257792-2002 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Advanced semiconductor materials and devices for high bandwidth telecom applications
用于高带宽电信应用的先进半导体材料和器件
- 批准号：
170824-2003 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
New heterostructure materials for telecommunications
用于电信的新型异质结构材料
- 批准号：
170824-1999 - 财政年份：2002
- 资助金额：
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- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
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相似国自然基金
基于数据稀疏表示的实时G-SPEED磁共振成像技术研究
- 批准号：61372024
- 批准年份：2013
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- 批准号：61176022
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Technical Feasibility, Throughput and Cost of Manufacturing InP High Speed Electronic Devices in a Multiproject Multimaterial Production Facility
在多项目多材料生产设施中制造 InP 高速电子器件的技术可行性、产量和成本
- 批准号：
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- 资助金额：
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Research Grant
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适用于高比特率应用的超高速 InP/GaAsSb/InP DHBT
- 批准号：
257792-2002 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
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适用于高比特率应用的超高速 InP/GaAsSb/InP DHBT
- 批准号：
257792-2002 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Strategic Projects - Group
Design, fabrication and characterization of ultra high speed InP/GaAsSb/InP double heterojunction bipolar transistors
超高速 InP/GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管的设计、制造和表征
- 批准号：
262665-2003 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Doctoral Prizes
Ultra High-Speed Operation of Ultra-Fine GaInAs/InP HBT by Suppressing Recombination Current at Mesa Sidewall
通过抑制台面侧壁复合电流实现超细 GaInAs/InP HBT 的超高速运行
- 批准号：
11555092 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Novel Insulated Gate Structure having Ultrathin Si Quantum Well for Realization of InP-Based Ultra High-Frequency and High-Power Devices
新型超薄硅量子阱绝缘栅结构实现InP基超高频大功率器件
- 批准号：
10555098 - 财政年份：1998
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
High Speed InP Schottky Power Rectifier
高速 InP 肖特基功率整流器
- 批准号：
09555105 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
"Fabrication of high-speed and low-power-consumption InP-based HEMT by novel interface control techniques"
“通过新颖的接口控制技术制造高速、低功耗 InP 基 HEMT”
- 批准号：
09555092 - 财政年份：1997
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of InP-based high-speed integrated circuits using MESFETs with high Schottky barrier height
使用具有高肖特基势垒高度的 MESFET 制造 InP 基高速集成电路
- 批准号：
07555093 - 财政年份：1995
- 资助金额：
$ 5.78万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)