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InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors (for wireless communications)
InP/GaAsSb双异质结双极晶体管（用于无线通信）
基本信息
- 批准号：224092-1999
- 负责人：
- 金额：$ 5.76万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Strategic Projects - Group
- 财政年份：1999
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1999-01-01 至 2000-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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