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Atomic force microscopy surface potential as a method for memory readback and device failure analysis
原子力显微镜表面电势作为存储器读回和器件故障分析的方法
基本信息
- 批准号：428594-2011
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Engage Grants Program
- 财政年份：2011
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2011-01-01 至 2012-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Non Volatile Memory (NVM) devices have widely been used for many important applications. The devices
非易失性存储器（NVM）器件已广泛应用于许多重要的应用领域。这些设备
项目成果
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