LT-GaAs process development and vertical photoconductive antennas fabrication
LT-GaAs process development and vertical photoconductive antennas fabrication
批准号:
469648-2014
负责人:
Wasilewski, Zbigniew
金额:
$1.82万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Engage Grants Program
财政年份:
2014
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2014-01-01 至 2015-12-31
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Terahertz technology has entered an era of unprecedented advancement, with an ever-growing number of applications to address the pharmaceutical, food, aerospace, oil, medical and high-data-rate communications industries.
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AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:RGPIN-2018-05345
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$5.68万
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财政年份:2022
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:RGPIN-2018-05345
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.84万
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财政年份:2021
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:RGPIN-2018-05345
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.84万
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财政年份:2020
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:RGPIN-2018-05345
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.84万
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财政年份:2019
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:RGPIN-2018-05345
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$2.84万
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财政年份:2018
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
Process development for the fabrication of terahertz transmitter and receiver photoconductive antennas.
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批准号:501093-2016
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项目类别:Collaborative Research and Development Grants
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资助金额:$17.48万
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财政年份:2017
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:436213-2013
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$3.72万
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财政年份:2017
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:436213-2013
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$3.72万
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财政年份:2016
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:436213-2013
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$3.72万
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财政年份:2015
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
Electrochemical Capacitance Voltage Profiler for MBE-grown novel quantum optoelectronic devices
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批准号:RTI-2016-00068
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项目类别:Research Tools and Instruments
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资助金额:$10.93万
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财政年份:2015
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:436213-2013
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$3.72万
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财政年份:2014
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
AIIIBV Molecular Beam Epitaxial structures and devices for photonics, nanoelectronics, spintronics and quantum computing.
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批准号:436213-2013
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项目类别:Discovery Grants Program - Individual
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资助金额:$3.72万
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财政年份:2013
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
High resolution X-ray Diffractometer for MBE-grown novel quantum device research
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批准号:439977-2013
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项目类别:Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
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资助金额:$10.93万
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财政年份:2012
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负责人:Wasilewski, Zbigniew
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依托单位:
国内基金
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基于应力平衡量子阱结构的超高效GaInP/GaAs(QWs)/InGaAs太阳电池研究
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批准号:62304243
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2023
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负责人:龙军华
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依托单位:
GaAs基1μm激光电池高光电特性调控机制研究
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批准号:62301347
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30.00万元
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批准年份:2023
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负责人:苟于单
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依托单位:
小麦成株抗条锈性新位点QYr.gaas-1AL精细定位及候选基因功能分析
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批准号:32360512
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项目类别:地区科学基金项目
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资助金额:32万元
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批准年份:2023
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负责人:白斌
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依托单位:
全介质超表面透射式GaAs光电阴极的窄带发射机理及特性研究
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批准号:12375158
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项目类别:面上项目
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资助金额:53万元
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批准年份:2023
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负责人:彭新村
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依托单位:
硅基外延InAs/GaAs量子点激光器的光学反馈特性研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:段嘉楠
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依托单位:
GaAs基的光子型超宽谱探测器的物理与器件研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:55万元
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批准年份:2022
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负责人:张月蘅
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依托单位:
基于陷光结构的透射式GaAs光电阴极光谱调制方法研究
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:53万元
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批准年份:2022
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负责人:张益军
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依托单位:
InAs/GaAs量子点半导体可饱和吸收镜电控非线性光学特性的研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:王旭
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依托单位:
位移损伤对高速GaAs基VCSEL弛豫振荡频率的影响机制研究
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批准号:--
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:30万元
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批准年份:2022
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负责人:玛丽娅·黑尼
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依托单位:
基于负电容效应的高频低功耗异质集成GaAs-OI MOSFET关键技术研究
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批准号:92264107
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:80.00万元
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批准年份:2022
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负责人:刘璐
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依托单位: