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High k dielectric deposition by ALD for nanowires
通过 ALD 技术沉积纳米线的高 k 电介质
基本信息
- 批准号：483152-2015
- 负责人：
- 金额：$ 0.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：University Undergraduate Student Research Awards
- 财政年份：2015
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2015-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Xu, KeJun其他文献
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{{ truncateString('Xu, KeJun', 18)}}的其他基金
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$ 0.33万 - 项目类别：
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518753-2018 - 财政年份：2020
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Precursor and Reactivity Design for Atomic Layer Deposition (ALD) of Main Group Elements
主族元素原子层沉积 (ALD) 的前驱体和反应性设计
- 批准号：
518753-2018 - 财政年份：2019
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$ 0.33万 - 项目类别：
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- 批准号：
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- 资助金额：
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Precursor and Reactivity Design for Atomic Layer Deposition (ALD) of Main Group Elements
主族元素原子层沉积 (ALD) 的前驱体和反应性设计
- 批准号：
518753-2018 - 财政年份：2018
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Postgraduate Scholarships - Doctoral
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原子层沉积（ALD）新前驱体的纯化工艺
- 批准号：
536231-2018 - 财政年份：2018
- 资助金额：
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