Selective area nano-epitaxy

选区纳米外延

• 批准号: FT110100072
• 负责人: Prof Hark Hoe Tan
• 金额: $ 58.91万
• 依托单位: The Australian National University
• 依托单位国家: 澳大利亚
• 项目类别: ARC Future Fellowships
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 澳大利亚
• 起止时间: 2012-01-30 至 2016-01-29
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://dataportal.arc.gov.au/RGS/Web/Grants/FT110100072
• 关键词: Selective; area; nano; epitaxy

A new major program will be initiated to investigate the epitaxial growth of certain semiconductor nanowires on patterned substrates, without the use of a catalyst. It will result in the ability to produce nanowires of high quality and uniformity. This will lead the way for new and advanced concept nanowire-based devices for future applications.

一个新的主要计划将开始研究某些半导体纳米线在图案化衬底上的外延生长，而不使用催化剂。这将导致产生高质量和均匀性的纳米线的能力。这将为未来应用的新的和先进的概念基于MEMS的设备开辟道路。