Group III nitride heterostructured nanowires for light emitting diodes
用于发光二极管的III族氮化物异质结构纳米线
基本信息
- 批准号:402507-2011
- 负责人:
- 金额:$ 1.97万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2018
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2018-01-01 至 2019-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Gallium nitride (GaN) and Indium Gallium Nitride (InGaN) light emitting diodes (LEDs) are currently a multibillion dollar industry with applications in cell phone back lighting, traffic signals, message display boards, and projection television. The development of solid state lighting to displace incandescent and fluorescent lamps for general illumination represents an even larger worldwide market, accompanied by a huge energy savings and corresponding greenhouse emissions reduction due to the lower energy consumption of LEDs. Conventional LED technology is presently limited by cost, yield, and performance issues that are related to the materials deposition process. The emerging field of semiconductors nanowires allows arbitrary materials and alloys of high optical quality to be deposited inexpensively. This will bring new wavelengths and higher energy efficiencies to LEDs. Nanowire heterostructures will be grown by metal organic chemical vapor deposition, characterized through microscopy and electrical characterization techniques, and be incorporated into devices. This project will study the materials science of these nanowire heterostructures, and investigate strategies to increase the efficiency, brightness, and spectral emission range of nanowire LEDs.**
氮化镓(GaN)和氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)目前是数十亿美元的产业,其应用于手机背光、交通信号、信息显示板和投影电视。 固态照明取代白炽灯和荧光灯用于一般照明的发展代表了更大的全球市场,伴随着由于LED的较低能耗而带来的巨大节能和相应的温室气体排放减少。 传统的LED技术目前受到与材料沉积工艺相关的成本、产量和性能问题的限制。 半导体纳米线的新兴领域允许廉价地沉积具有高光学质量的任意材料和合金。 这将为LED带来新的波长和更高的能效。 纳米线异质结构将通过金属有机化学气相沉积生长,通过显微镜和电学表征技术表征,并被纳入设备。 该项目将研究这些纳米线异质结构的材料科学,并研究提高纳米线LED的效率,亮度和光谱发射范围的策略。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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