集成电路技术是电子信息产业的基础，而集成电路制造装备的研究则是集成电路技术的基础。随着集成电路的特征尺寸向32nm工艺节点靠近，大量传统的关键制造技术将达到适用的极限，其中也包括用于制造超浅结的低能离子注入技术。超浅结要求在达到亚KeV的低注入能量的同时保持高注入剂量和高产能，此时传统的低能离子注入技术很难同时满足以上要求。等离子体掺杂注入技术是一种全新原理的超浅结形成技术，它的特点在于进行低能注入时可以保证高的注入剂量和高产能。这对于特征尺寸不断缩小的集成电路制造是十分关键的。本研究致力于研制一种采用新型原理的等离子体掺杂注入机，进行亚32nm节点集成电路设备的前瞻性研究和原理验证，为发展我国自主知识产权的微电子关键装备进行技术储备,同时满足实验室用机的需求。