等离子体掺杂离子注入机
批准号：
60727003
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
140.0 万元
负责人：
夏洋
依托单位：
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2010
批准年份：
2007
项目状态：
已结题
项目参与者：
李超波、胥兴才、刘辉、黄钦文、焦斌斌、刘茂哲、易亮、罗小光
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中文摘要
集成电路技术是电子信息产业的基础，而集成电路制造装备的研究则是集成电路技术的基础。随着集成电路的特征尺寸向32nm工艺节点靠近，大量传统的关键制造技术将达到适用的极限，其中也包括用于制造超浅结的低能离子注入技术。超浅结要求在达到亚KeV的低注入能量的同时保持高注入剂量和高产能，此时传统的低能离子注入技术很难同时满足以上要求。等离子体掺杂注入技术是一种全新原理的超浅结形成技术，它的特点在于进行低能注入时可以保证高的注入剂量和高产能。这对于特征尺寸不断缩小的集成电路制造是十分关键的。本研究致力于研制一种采用新型原理的等离子体掺杂注入机，进行亚32nm节点集成电路设备的前瞻性研究和原理验证，为发展我国自主知识产权的微电子关键装备进行技术储备,同时满足实验室用机的需求。
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作者：
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通讯作者：
A novel method to produce black silicon for solar cells
一种生产太阳能电池用黑硅的新方法
一种生产太阳能电池用黑硅的新方法
DOI：
10.1016/j.solener.2011.03.012
发表时间：
2011-07-01
期刊：
SOLAR ENERGY
影响因子：
6.7
作者：
[Xia, Yang, Liu, Bangwu, Li, Chaobo]
通讯作者：
Li, Chaobo
InP HBT双自对准转移衬底方法研究
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批准号：60676046
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项目类别：面上项目
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资助金额：25.0万元
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批准年份：2006
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负责人：夏洋
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依托单位：
半导体科学和光学与光电子学领域20年基金资助状况分析
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批准号：F0524401
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：2005
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负责人：夏洋
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依托单位：
ULSI中铜互连线的研究
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批准号：69936020
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项目类别：重点项目
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资助金额：120.0万元
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批准年份：1999
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负责人：夏洋
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依托单位：
国内基金
海外基金