课题基金基金详情
InP HBT双自对准转移衬底方法研究
结题报告
批准号：
60676046
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
夏洋
依托单位：
中国科学院微电子研究所
学科分类：
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
于进勇、陈晓娟、梁晓新、程伟
关键词：
双自对准转移衬底异质结双极型晶体管（HBT）
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
中文摘要
现代数字通讯、仪器设备及毫米波通讯系统要求各种功能芯片工作在直流到100GHz的频率范围内，这些都要求开发几百GHz的晶体管。InP HBT由于具有散热性好、工作频率高、阈值电压低的特点，成为几百GHz晶体管的主要选择之一。双自对准转移衬底方法有效的克服InP HBT集电极宽度受到的限制，极大的降低集电结寄生电容和基极寄生电阻，是将InP HBT的截止频率提高到1000GHz以上的关键技术，同时该
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
High—speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
具有高击穿电压的高速 InGaAs/InP 双异质结构双极晶体管
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：
通讯作者：
Submciron InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor with ft of 238 GHz
Submciron InGaAs/InP 异质结双极晶体管，ft 为 238 GHz
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：
通讯作者：
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT
InGaAs/InP DHBT基极-集电极结的设计
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：
通讯作者：
InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge
具有基极 μ 桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs 异质结双极晶体管
DOI：--
发表时间：--
期刊：
影响因子：--
作者：
通讯作者：
InGaAs/InP DHBT的基极-集电极设计
DOI：--
发表时间：--
期刊：中国科学 2008 Vol.38No.9 1521-1528
影响因子：--
作者：
通讯作者：
等离子体掺杂离子注入机
半导体科学和光学与光电子学领域20年基金资助状况分析
ULSI中铜互连线的研究
国内基金
海外基金