InP HBT双自对准转移衬底方法研究
批准号：
60676046
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
夏洋
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
于进勇、陈晓娟、梁晓新、程伟
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
现代数字通讯、仪器设备及毫米波通讯系统要求各种功能芯片工作在直流到100GHz的频率范围内，这些都要求开发几百GHz的晶体管。InP HBT由于具有散热性好、工作频率高、阈值电压低的特点，成为几百GHz晶体管的主要选择之一。双自对准转移衬底方法有效的克服InP HBT集电极宽度受到的限制，极大的降低集电结寄生电容和基极寄生电阻，是将InP HBT的截止频率提高到1000GHz以上的关键技术，同时该
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High—speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage
具有高击穿电压的高速 InGaAs/InP 双异质结构双极晶体管
具有高击穿电压的高速 InGaAs/InP 双异质结构双极晶体管
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
Submciron InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor with ft of 238 GHz
Submciron InGaAs/InP 异质结双极晶体管，ft 为 238 GHz
Submciron InGaAs/InP 异质结双极晶体管，ft 为 238 GHz
DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT
InGaAs/InP DHBT基极-集电极结的设计
InGaAs/InP DHBT基极-集电极结的设计
DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor with Base μ-Bridge and Emitter Air-Bridge
具有基极 μ 桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs 异质结双极晶体管
具有基极 μ 桥和发射极空气桥的 InP/InGaAs 异质结双极晶体管
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国科学 2008 Vol.38No.9 1521-1528
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 12 条
等离子体掺杂离子注入机
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批准号：60727003
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：140.0万元
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批准年份：2007
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负责人：夏洋
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依托单位：
半导体科学和光学与光电子学领域20年基金资助状况分析
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批准号：F0524401
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：2005
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负责人：夏洋
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依托单位：
ULSI中铜互连线的研究
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批准号：69936020
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项目类别：重点项目
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资助金额：120.0万元
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批准年份：1999
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负责人：夏洋
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依托单位：
国内基金
海外基金