ULSI中铜互连线的研究

批准号:
69936020
项目类别:
重点项目
资助金额:
120.0 万元
负责人:
夏洋
依托单位:
学科分类:
F04.半导体科学与信息器件
结题年份:
2003
批准年份:
1999
项目状态:
已结题
项目参与者:
韩阶平、陈宝钦、田如江、申作成、欧文、王文泉、赵玉印、张国海、吴德馨
关键词:
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
研究深亚微米集成电路芯片中介质层沟槽(包括孔)的制作,薄包层材料和制作,铜的选择性电化学沉积填充,全局平坦化等技术;深亚微米沟槽铜沉积机制,电脉冲失效和抗电迁移特性;集成电路芯片中以铜代铝作互连线,该互连线有低电阻率,低功耗,低RC值和高抗电迁移能力;同时研究以铜代铝高性能电感制作工艺及铜互连线在RFICs电路上的应用.
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
等离子体掺杂离子注入机
- 批准号:60727003
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:140.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:夏洋
- 依托单位:
InP HBT双自对准转移衬底方法研究
- 批准号:60676046
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:25.0万元
- 批准年份:2006
- 负责人:夏洋
- 依托单位:
半导体科学和光学与光电子学领域20年基金资助状况分析
- 批准号:F0524401
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:2005
- 负责人:夏洋
- 依托单位:
国内基金
海外基金
