ULSI中铜互连线的研究
批准号：
69936020
项目类别：
重点项目
资助金额：
120.0 万元
负责人：
夏洋
依托单位：
学科分类：
半导体科学与信息器件
结题年份：
2003
批准年份：
1999
项目状态：
已结题
项目参与者：
韩阶平、陈宝钦、田如江、申作成、欧文、王文泉、赵玉印、张国海、吴德馨
关键词：
项目摘要
结项摘要
夏洋的其他基金
相似基金
相关文献
中文摘要
研究深亚微米集成电路芯片中介质层沟槽(包括孔)的制作,薄包层材料和制作,铜的选择性电化学沉积填充,全局平坦化等技术;深亚微米沟槽铜沉积机制,电脉冲失效和抗电迁移特性;集成电路芯片中以铜代铝作互连线,该互连线有低电阻率,低功耗,低RC值和高抗电迁移能力;同时研究以铜代铝高性能电感制作工艺及铜互连线在RFICs电路上的应用.
英文摘要
等离子体掺杂离子注入机
-
批准号：60727003
-
项目类别：专项基金项目
-
资助金额：140.0万元
-
批准年份：2007
-
负责人：夏洋
-
依托单位：
InP HBT双自对准转移衬底方法研究
-
批准号：60676046
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：25.0万元
-
批准年份：2006
-
负责人：夏洋
-
依托单位：
半导体科学和光学与光电子学领域20年基金资助状况分析
-
批准号：F0524401
-
项目类别：专项基金项目
-
资助金额：10.0万元
-
批准年份：2005
-
负责人：夏洋
-
依托单位：
国内基金
海外基金