自旋晶体管是新一代的电子器件，有可能对计算机技术、电子学的发展产生深远的影响，这种器件的电子的输运机理、器件的工作机理完全不同与目前我们所熟知的半导体器件，国际上也还是在起步阶段。本课题在已有的自旋物理特性研究成果的基础上主要研究极化电子流输运特性和自旋器件物理和器件特性。采用理论分析，模拟计算和实验研究的方法研究自旋极化电子的性能及其输运机理。开展自旋器件物理的研究，建立分析器件的模型，开发相应的模拟软件。模拟分析较成熟的MRAM器件性能，并与实际器件进行分析比较，进一步研究自旋极化电子物理性能，及其在器件中的输运规律，模拟分析各种自旋极化电子器件，并对比分析各种器件的性能，分析研究自旋电子器件的工作机理