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碳化硅金属-半导体双极型晶体管的研究

批准号：
60876061
项目类别：
面上项目
资助金额：
40.0 万元
负责人：
张玉明
依托单位：
西安电子科技大学
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
王悦湖、曹全君、张林、张林、郑少金、贾威
关键词：
金属-半导体双极型晶体管射频碳化硅

项目摘要

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项目成果

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中文摘要
宽禁带半导体材料碳化硅具有临界击穿电场大、饱和漂移速度大、热导率高的特点。因此，碳化硅器件具有传统材料器件无法比拟的优势。但是，由于材料特性及工艺水平的限制，普通结构的碳化硅双极晶体管开启电压偏高，电流增益偏低，且工作频率有限，这不仅限制了器件的开关和放大性能，而且阻碍了器件在射频应用领域的发展前景。针对以上问题，本项目提出对碳化硅金属-半导体双极型晶体管（4H-SiC MSBJT）的研究，利用新的器件结构降低开启电压，抑制界面陷阱效应，改善器件特性，实现碳化硅器件在射频功率应用领域的突破。主要研究内容围绕建立器件模型、探索器件工艺、优化材料生长工艺、实现功率封装等开展，完成芯片设计和仿真评估，并投片验证设计结果。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
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4H-SiC中基面位错发光特性研究
DOI： --
发表时间： --
期刊： 物理学报
影响因子： --
作者： [汤晓燕, 张义门, 苗瑞霞, 张玉明]
通讯作者： 张玉明
双外延基区4H-SiC BJTs的建模与仿真(英文)
DOI： --
发表时间： --
期刊： 计算物理
影响因子： --
作者： [张义门, 张倩, 张玉明]
通讯作者： 张玉明
Investigation of dislocations in 8° off-axis 4H-SiC epilayer
8° 离轴 4H-SiC 外延层位错研究
DOI： 10.1088/1674-1056/19/7/076106
发表时间： 2010
期刊： Chinese Physics B
影响因子： 1.7
作者： [Miao Rui, Zhang Yuming, Zhang Yi, Tang Xiaoyan, Gai Qing]
通讯作者： Gai Qing
First-principle calculation on the defect energy level of carbon vacancy in 4H-SiC
4H SiC中碳空位缺陷能级的第一性原理计算
DOI： 10.1088/1674-1056/19/10/107105
发表时间： 2010-10-01
期刊： CHINESE PHYSICS B
影响因子： 1.7
作者： [Jia Ren-Xu, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men]
通讯作者： Zhang Yi-Men
共 20 条
    新型SiC基high-k介质强电导增强型高压MOSFET新结构研究
    • 批准号：
      61774119
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      63.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      张玉明
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究
    • 批准号：
      61176070
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      74.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      张玉明
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    自旋器件输运机理的研究
    • 批准号：
      90407014
    • 项目类别：
      重大研究计划
    • 资助金额：
      25.0万元
    • 批准年份：
      2004
    • 负责人：
      张玉明
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    注钒(V)制备半绝缘碳化硅层的研究
    • 批准号：
      60376001
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      17.0万元
    • 批准年份：
      2003
    • 负责人：
      张玉明
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    国内基金
    海外基金