半绝缘碳化硅是第三代新型器件(SiC 和GaN)从电特性和热特性两方面来说最好的衬底材料，也是微波大功率器件隔离和终端所急需的。本项目主要研究采用离子注入钒(V)在N型和P型碳化硅材料中形成半绝缘层的机理、方法，半绝缘层以及V离子穿过区域的电特性。具体研究内容为：1.离子注入钒形成半绝缘碳化硅的理论研究,分析钒在碳化硅禁带中形成的深能级状态，研究补偿机理及形成半绝缘材料的原理，为制作半绝缘碳化硅提供理论基础。2.在碳化硅中离子注入钒及其激活的理论和技术研究：研究V离子注入到SiC材料中的工艺条件和激活率的物理机理。掌握离子浓度、分布、激活率等参数与工艺过程和工艺条件的关系。3.钒注入形成的高阻层和钒离子注入形成高阻层上面的外延层电特性的研究，采用深能级瞬态谱(DLTS)等测试方法研究材料的物理特性；进行霍尔测试和I-V，C-V特性研究材料的电特性。