课题基金 / 基金详情

超深亚微米MOSFET的HCI/NBTI效应研究

批准号：
60206006
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
20.0 万元
负责人：
刘红侠
依托单位：
西安电子科技大学
学科分类：
集成电路器件、制造与封装
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
郝跃、张进城、黄涛、李培咸、韩晓亮、马晓华、史江一、刘道广、郑雪峰
关键词：
可靠性.热载流子注入.负偏压温度不稳定

项目摘要

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中文摘要
研究超深亚微米器件的典型失效机理—热载流子注入和负偏压温度不稳定性。寻找分解这两种效应的方法，确定每个机理在典型器件参数偏移和任意偏压以及温度条件下各自的作用。建立两种机理影响的器件寿命模型，提出一个很好的器件可靠性监测量。提出可靠性加固的器件最佳结构和工艺参数。这对于超深亚微米器件可靠性的研究意义重大。
英文摘要
硅基集成微波收发器件空间辐照环境下的可靠性关键技术与评价方法研究
  • 批准号：
    U2241221
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    262.00万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    刘红侠
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
纳米SOI FinFET的单粒子辐射损伤机理，可靠性表征方法与耦合模型研究
  • 批准号：
    61376099
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    刘红侠
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构实现与可靠性表征
  • 批准号：
    61076097
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    40.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    刘红侠
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
新型NdAlO3/SiO2 高k栅堆栈结构的实现与性能评估
  • 批准号：
    60976068
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    38.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    刘红侠
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
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