Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
复制标题
通过小面涂层延迟 1310 nm InAs/GaAs 量子点激光器的激发态激光
DOI：
10.1063/1.3418647
复制
发表时间：
2010-04
影响因子：
4
通讯作者：
Xu, Peng-Fei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen, Liang-Hui;Cao, Yu-Lian;Wang, Qing;Ma, Wen-Quan;Yang, Tao;Wang, Xiao-Dong;Gu, Yong-Xian;Ji, Hai-Ming;Xu, Peng-Fei
在这封信中，我们提出了一个端面涂层设计，以延迟激发态（es）激光1310 nm的inas/gaas量子点激光器。我们设计的关键点是通过降低ES的反射率来确保ES的镜损大于基态的镜损。在刻面涂层设计中，中心波长为1480 nm，高折射率材料和低折射率材料分别为Ta 2 O 5和SiO2。与传统的中心波长为1310 nm的Si/SiO2端面涂层相比，我们发现，对于腔长为1.2 mm的激光二极管，优化设计后的ES激光的转折温度从90 ℃延迟到100 ℃。此外，激光二极管的特征温度（T-0）也得到了改善。
In this letter, we present a facet coating design to delay the excited state (es) lasing for 1310 nm inas/gaas quantum dot lasers. the key point of our design is to ensure that the mirror loss of es is larger than that of the ground state by decreasing the reflectivity of the es. in the facet coating design, the central wavelength is at 1480 nm, and the high- and low-index materials are ta2o5 and sio2, respectively. compared with the traditional si/sio2 facet coating with a central wavelength of 1310 nm, we have found that with the optimal design the turning temperature of the es lasing has been delayed from 90 to 100 degrees c for the laser diodes with cavity length of 1.2 mm. furthermore, the characteristic temperature (t-0) of the laser diodes is also improved.
登录
查看更多内容
影响因子：
2.6
作者：
Yulian Cao;Tao Yang;H. Ji;W. Ma;Q. Cao;Lianghui Chen
通讯作者：
Yulian Cao;Tao Yang;H. Ji;W. Ma;Q. Cao;Lianghui Chen
影响因子：
3.5
作者：
O. Shchekin
通讯作者：
O. Shchekin
DOI：
10.1109/jstqe.2003.819494
发表时间：
2003-09
影响因子：
4.9
作者：
A. Markus;J. X. Chen;O. Gauthier-Lafaye;J. Provost;C. Paranthoën;A. Fiore
通讯作者：
A. Markus;J. X. Chen;O. Gauthier-Lafaye;J. Provost;C. Paranthoën;A. Fiore
DOI：
10.1109/2944.605656
发表时间：
1997-04-01
影响因子：
4.9
作者：
Bimberg, D;Kirstaedter, N;Ustinov, VM
通讯作者：
Ustinov, VM
影响因子：
4
作者：
Shchekin, OB;Deppe, DG
通讯作者：
Deppe, DG