MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制

批准号:
60176026
项目类别:
面上项目
资助金额:
24.0 万元
负责人:
杜国同
依托单位:
学科分类:
F0403.半导体光电子器件与集成
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
王新强、许呈栋、阎伟、柳丹、李明涛、崔宏峰、刘大力
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中文摘要
氧化锌紫外光探测器在信息转换、环境监测、航天、天文、生命科学和军事领域均哂芯薮?的应用前景。尤其在军事领域,它可利用太阳光线的真空地带,追踪导弹和火箭,并可用于核武器系统,具有极高的军事价值。我们利用等离子增强MOCVD法生长的高质量ZnO薄膜,研制高量子效率、高响应速度、高灵敏度的MSM型紫外光探测器。.............
英文摘要
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SiC为衬底制备InGaN绿光激光器及其关键科学问题研究
- 批准号:61376046
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:90.0万元
- 批准年份:2013
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
宽带隙半导体激光器件关键科学问题研究
- 批准号:61223005
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:300.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究
- 批准号:60976010
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:44.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究
- 批准号:50532080
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:110.0万元
- 批准年份:2005
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
垂直腔面发射激光器的纵模行为研究
- 批准号:60077021
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:16.0万元
- 批准年份:2000
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
长波长光纤光栅垂直腔面发射激光器
- 批准号:69777005
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:15.0万元
- 批准年份:1997
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
高功率短相干长度半导体集成光源
- 批准号:69577008
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:11.0万元
- 批准年份:1995
- 负责人:杜国同
- 依托单位:
国内基金
海外基金
