课题基金 / 基金详情

稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究

批准号：
50532080
项目类别：
重点项目
资助金额：
110.0 万元
负责人：
杜国同
依托单位：
吉林大学
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
胡礼中、张宝林、马艳、边继明、梁红伟、张源涛、杨天鹏、刘维峰、付艳萍
关键词：
p型p-n结测试方法ZnO专用设备ZnO薄膜

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项目成果

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中文摘要
研究ZnO薄膜p型掺杂及其可控技术，解决p型掺杂的稳定性和可控性问题；优化改进自行设计加工的ZnO薄膜生长专用等离子体增强MOCVD系统，完善掺杂所需的各种系统功能；提高p型ZnO载流子的掺杂浓度和迁移率，研制出性能良好的ZnO p-n结，制备出ZnO同质p-n结发光管原型器件，实现性能良好的p-n结电注入发光；研究p型ZnO材料掺杂浓度的测试方法及条件，获得准确可靠地测定p型ZnO薄膜电学参数的
英文摘要
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p-Type Sb-Doped ZnO Thin Films Prepared by Metallorganic Chemical Vapor Deposition Using Metallorganic Dopant
利用金属有机掺杂剂通过金属有机化学气相沉积法制备 p 型 Sb 掺杂 ZnO 薄膜
DOI： 10.1149/1.2980342
发表时间： 2008-12
期刊： Electrochemical and Solid State Letters
影响因子： --
作者： [Sun, J. C., Hu, L. Z., Zhao, Z. W., Zhao, J. Z., Bian, J. M., Zhang, H. Q., Feng, Q. J., Liang, H. W., Du, G. T.]
通讯作者： Du, G. T.
Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD
MOCVD 制备 p 型磷掺杂 ZnO 薄膜的光致发光和 X 射线光电子能谱
DOI： 10.1088/0256-307x/26/9/098101
发表时间： 2009-09
期刊： Chinese Physics Letters
影响因子： 3.5
作者： [Zhang Bao-Lin, Shen Ren-Sheng, Xia Xiao-Chuan, Zhao Wang, Zheng Wei, Guan He-Song, Du Guo-Tong, Dong Xin, Li Xiang-Ping, Peng Xin-Cun]
通讯作者： Peng Xin-Cun
氢化对ZnO发光性质的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊： 半导体学报
影响因子： --
作者： [张源涛, 马艳, 杜国同, 张宝林]
通讯作者： 张宝林
Room temperature electroluminescence from the ZnO homojunction grown on an n+-Si substrate by metal–organic chemical vapor deposition
DOI： 10.1088/0268-1242/23/2/025014
发表时间： 2008-01
期刊： Semiconductor Science and Technology
影响因子： 1.9
作者： [H. Liang;Q. Feng;Jingchang Sun;Jianze Zhao;J. Bian;Lizhong Hu;Heqiu Zhang;Yingmin Luo;Guotong Du]
通讯作者： H. Liang;Q. Feng;Jingchang Sun;Jianze Zhao;J. Bian;Lizhong Hu;Heqiu Zhang;Yingmin Luo;Guotong Du
共 50 条
    SiC为衬底制备InGaN绿光激光器及其关键科学问题研究
    • 批准号：
      61376046
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      90.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    宽带隙半导体激光器件关键科学问题研究
    • 批准号：
      61223005
    • 项目类别：
      专项基金项目
    • 资助金额：
      300.0万元
    • 批准年份：
      2012
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究
    • 批准号：
      60976010
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      44.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
    • 批准号：
      60176026
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2001
    • 负责人：
      杜国同
    • 依托单位：
      吉林大学
    国内基金
    海外基金