稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    50532080
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    110.0万
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
  • 学科分类：
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2005
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2006-01-01 至2009-12-31

项目摘要

研究ZnO薄膜p型掺杂及其可控技术，解决p型掺杂的稳定性和可控性问题；优化改进自行设计加工的ZnO薄膜生长专用等离子体增强MOCVD系统，完善掺杂所需的各种系统功能；提高p型ZnO载流子的掺杂浓度和迁移率，研制出性能良好的ZnO p-n结，制备出ZnO同质p-n结发光管原型器件，实现性能良好的p-n结电注入发光；研究p型ZnO材料掺杂浓度的测试方法及条件，获得准确可靠地测定p型ZnO薄膜电学参数的

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（50）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（8）
p-Type Sb-Doped ZnO Thin Films Prepared by Metallorganic Chemical Vapor Deposition Using Metallorganic Dopant
利用金属有机掺杂剂通过金属有机化学气相沉积法制备 p 型 Sb 掺杂 ZnO 薄膜
  • DOI：
    10.1149/1.2980342
  • 发表时间：
    2008-12
  • 期刊：
    Electrochemical and Solid State Letters
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Sun, J. C.;Hu, L. Z.;Zhao, Z. W.;Zhao, J. Z.;Bian, J. M.;Zhang, H. Q.;Feng, Q. J.;Liang, H. W.;Du, G. T.
  • 通讯作者：
    Du, G. T.
Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD
MOCVD 制备 p 型磷掺杂 ZnO 薄膜的光致发光和 X 射线光电子能谱
  • DOI：
    10.1088/0256-307x/26/9/098101
  • 发表时间：
    2009-09
  • 期刊：
    Chinese Physics Letters
  • 影响因子：
    3.5
  • 作者：
    Zhang Bao-Lin;Shen Ren-Sheng;Xia Xiao-Chuan;Zhao Wang;Zheng Wei;Guan He-Song;Du Guo-Tong;Dong Xin;Li Xiang-Ping;Peng Xin-Cun
  • 通讯作者：
    Peng Xin-Cun
氢化对ZnO发光性质的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    半导体学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    张源涛;马艳;杜国同;张宝林
  • 通讯作者：
    张宝林
Catalyst-free synthesis of ZnO nanorod arrays on InP (001) substrate by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积在 InP (001) 基底上无催化剂合成 ZnO 纳米棒阵列
  • DOI：
    10.1016/j.matlet.2008.04.079
  • 发表时间：
    2008-09-30
  • 期刊：
    MATERIALS LETTERS
  • 影响因子：
    3
  • 作者：
    Yu, Dongqi;Hu, Lizhong;Fu, Qiang
  • 通讯作者：
    Fu, Qiang
ZnO thin films deposited by a CVT technique in closed ampoules
采用 CVT 技术在封闭安瓿中沉积 ZnO 薄膜
  • DOI：
    10.1016/j.matlet.2008.10.027
  • 发表时间：
    2009-01
  • 期刊：
    Materials Letters
  • 影响因子：
    3
  • 作者：
    Q. Fu;L. Z. Hu;J. C. Sun;D. Q. Yu;B. Z. Huo;H. Q. Zhang;Z. W. Zhao
  • 通讯作者：
    Z. W. Zhao

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

其他文献

Ⅱ型超晶格InAs/GaInSb红外探测材料
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  • 通讯作者：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 通讯作者：
    常玉春
Cu掺杂ZnO的光致发光光谱
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  • 发表时间：
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  • 作者：
    郑杰;杜国同;于永森;张玉书;闫卫平;张金;申人升;王艳
  • 通讯作者：
    王艳

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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杜国同的其他基金

SiC为衬底制备InGaN绿光激光器及其关键科学问题研究
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  • 资助金额：
    11.0 万元
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相似国自然基金

{{ item.name }}
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    {{ item.ratify_no }}
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    {{ item.approval_year }}
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    {{ item.support_num }}
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    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号：
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份：
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额：
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别：
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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