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稳定高效的ZnOp型掺杂与生长设备、可控技术及测试方法研究
结题报告
批准号：
50532080
项目类别：
重点项目
资助金额：
110.0 万元
负责人：
杜国同
依托单位：
吉林大学
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2009
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
胡礼中、张宝林、马艳、边继明、梁红伟、张源涛、杨天鹏、刘维峰、付艳萍
关键词：
p型p-n结测试方法ZnO专用设备ZnO薄膜
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
研究ZnO薄膜p型掺杂及其可控技术，解决p型掺杂的稳定性和可控性问题；优化改进自行设计加工的ZnO薄膜生长专用等离子体增强MOCVD系统，完善掺杂所需的各种系统功能；提高p型ZnO载流子的掺杂浓度和迁移率，研制出性能良好的ZnO p-n结，制备出ZnO同质p-n结发光管原型器件，实现性能良好的p-n结电注入发光；研究p型ZnO材料掺杂浓度的测试方法及条件，获得准确可靠地测定p型ZnO薄膜电学参数的
英文摘要
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p-Type Sb-Doped ZnO Thin Films Prepared by Metallorganic Chemical Vapor Deposition Using Metallorganic Dopant
利用金属有机掺杂剂通过金属有机化学气相沉积法制备 p 型 Sb 掺杂 ZnO 薄膜
DOI：10.1149/1.2980342
发表时间：2008-12
期刊：Electrochemical and Solid State Letters
影响因子：--
作者：Sun, J. C.;Hu, L. Z.;Zhao, Z. W.;Zhao, J. Z.;Bian, J. M.;Zhang, H. Q.;Feng, Q. J.;Liang, H. W.;Du, G. T.
通讯作者：Du, G. T.
Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Spectroscopy of p-Type Phosphorus-Doped ZnO Films Prepared by MOCVD
MOCVD 制备 p 型磷掺杂 ZnO 薄膜的光致发光和 X 射线光电子能谱
DOI：10.1088/0256-307x/26/9/098101
发表时间：2009-09
期刊：Chinese Physics Letters
影响因子：3.5
作者：Zhang Bao-Lin;Shen Ren-Sheng;Xia Xiao-Chuan;Zhao Wang;Zheng Wei;Guan He-Song;Du Guo-Tong;Dong Xin;Li Xiang-Ping;Peng Xin-Cun
通讯作者：Peng Xin-Cun
氢化对ZnO发光性质的影响
DOI：--
发表时间：--
期刊：半导体学报
影响因子：--
作者：张源涛;马艳;杜国同;张宝林
通讯作者：张宝林
Room temperature electroluminescence from the ZnO homojunction grown on an n+-Si substrate by metal–organic chemical vapor deposition
DOI：10.1088/0268-1242/23/2/025014
发表时间：2008-01
期刊：Semiconductor Science and Technology
影响因子：1.9
作者：H. Liang;Q. Feng;Jingchang Sun;Jianze Zhao;J. Bian;Lizhong Hu;Heqiu Zhang;Yingmin Luo;Guotong Du
通讯作者：H. Liang;Q. Feng;Jingchang Sun;Jianze Zhao;J. Bian;Lizhong Hu;Heqiu Zhang;Yingmin Luo;Guotong Du
Room temperature electroluminescence from the n-ZnO/p-GaN heterojunction device grown by MOCVD
DOI：10.1016/j.materresbull.2008.02.020
发表时间：2008-12
期刊：Materials Research Bulletin
影响因子：5.4
作者：Tianpeng Yang;Hongyang Zhu;J. Bian;Jie Sun;Xin Dong;Baolin Zhang;H. Liang;Xiang Li;Yongguo Cui;G. Du
通讯作者：Tianpeng Yang;Hongyang Zhu;J. Bian;Jie Sun;Xin Dong;Baolin Zhang;H. Liang;Xiang Li;Yongguo Cui;G. Du
SiC为衬底制备InGaN绿光激光器及其关键科学问题研究
  • 批准号：
    61376046
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    90.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
宽带隙半导体激光器件关键科学问题研究
  • 批准号：
    61223005
  • 项目类别：
    专项基金项目
  • 资助金额：
    300.0万元
  • 批准年份：
    2012
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究
  • 批准号：
    60976010
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    44.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
MOCVD法生长高阻ZnO薄膜及其紫外光探测器的研制
  • 批准号：
    60176026
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2001
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
垂直腔面发射激光器的纵模行为研究
  • 批准号：
    60077021
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    16.0万元
  • 批准年份：
    2000
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
长波长光纤光栅垂直腔面发射激光器
  • 批准号：
    69777005
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    15.0万元
  • 批准年份：
    1997
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
高功率短相干长度半导体集成光源
  • 批准号：
    69577008
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    11.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    杜国同
  • 依托单位：
    吉林大学
国内基金
海外基金