课题基金 / 基金详情

硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究

批准号：
60046001
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
15.0 万元
负责人：
叶志镇
依托单位：
浙江大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2002
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
张昊翔、黄靖云、郭兵、赵炳辉、何乐年、卢焕明、汪雷、王宇、蒋良俊
关键词：
硅基薄膜.热壁外延.蓝光二极管

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
采用热壁外延技术，通过生长工艺参数的调整和控制，全理设计界面过渡层，在硅单晶上生长氮化镓单晶薄膜材料。解决硅单晶与氮化镓大失配异质外延的关键技术问题。研究氮化镓异质生长的热力学和动力学。问题通过的效地控制杂质缺陷，降低氮化镓背景电子浓度。采用掺杂的方法，形成PN结，然后通过电极制备与封装，制备出硅基氮化镓发蓝光二极管。
英文摘要
Micro LED芯片材料关键基础问题与制备技术
  • 批准号：
    U22A20133
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    255.00万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    叶志镇
  • 依托单位：
    浙江大学
ZnO发光二极管研制与发光效率提升机制研究
  • 批准号：
    91333203
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    350.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    叶志镇
  • 依托单位：
    浙江大学
MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
  • 批准号：
    51172204
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    67.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    叶志镇
  • 依托单位：
    浙江大学
优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究
  • 批准号：
    90601003
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    30.0万元
  • 批准年份：
    2006
  • 负责人：
    叶志镇
  • 依托单位：
    浙江大学
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