氧化锌场发射器件的纳米线的设计、可控生长与应用研究
批准号:
50572095
项目类别:
面上项目
资助金额:
25.0 万元
负责人:
叶志镇
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
2008
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
何海平、徐伟中、陈兰兰、张阳、曾昱嘉、马德伟
中文摘要
由于平板显示器具有重量轻、功耗小、体积小、大屏幕等优点,平板显示技术得到了广泛的应用;场发射平板显示是其中具有很大应用前景的一种技术。除了碳纳米管外,氧化锌纳米线是另一种良好的阴极场发射电子材料。.本项目根据场发射的理论,计算和设计具有良好场发射性能的冷阴极场发射ZnO纳米线的尺寸、尖端形貌和导电性。采用金属有机化学汽相沉积方法和特殊工艺,在硅和玻璃等衬底上可控生长ZnO纳米线阵列。研究生长温度、气流、压力等工艺参数对纳米线尺寸和趋向的影响,揭示不同尺寸和趋向的ZnO纳米线场发射电子的能力;通过掺入施主元素改变纳米线的电阻率,研究电阻率对纳米线的场发射电子能力的影响;最终达到降低场发发射的起偏电场和增大发射电流密度的目的,获得较为理想的场发射氧化锌纳米线材料。并以此为冷阴极场发射源研制平板显示器件。该研究有望为氧化锌纳米线材料在场发射显示技术的应用奠定基础。
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Rational synthesis and tunable optical properties of quasialigned Zn1-x Mgx O nanorods (vol 91, artn no. 193108, 2007)
准排列 Zn1-x Mgx O 纳米棒的合理合成和可调光学性质(第 91 卷,货号 193108,2007 年)
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
ZnO nanowires grown along the non-polar direction
沿非极性方向生长的ZnO纳米线
DOI:
10.1016/j.matlet.2007.08.063
发表时间:
2008-03
期刊:
Materials Letters
影响因子:
3
作者:
[Ye, Zhizhen, Tang, Haiping, He, Haiping]
通讯作者:
He, Haiping
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Photoluminescence properties of ZnO nanoneedles grown by metal organic chemical vapor deposition
金属有机化学气相沉积法生长的ZnO纳米针的光致发光特性
DOI:
10.1063/1.2980335
发表时间:
2008-09
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[He, Haiping, Zhao, Binghui, Huang, Jingyun, Ye, Zhizhen, Zhu, Liping, Lin, Shisheng]
通讯作者:
Lin, Shisheng
DOI:
10.1021/cg701277f
发表时间:
2008-07
期刊:
Crystal Growth & Design
影响因子:
3.8
作者:
[Lingxiang Chen;Jingyun Huang;Z. Ye;Haiping He;Yujia Zeng;Shuang‐Peng Wang;Huizhen Wu]
通讯作者:
Lingxiang Chen;Jingyun Huang;Z. Ye;Haiping He;Yujia Zeng;Shuang‐Peng Wang;Huizhen Wu
共 29 条
Micro LED芯片材料关键基础问题与制备技术
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批准号:U22A20133
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:255.00万元
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批准年份:2022
-
负责人:叶志镇
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依托单位:
ZnO发光二极管研制与发光效率提升机制研究
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批准号:91333203
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:350.0万元
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批准年份:2013
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负责人:叶志镇
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依托单位:
MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
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批准号:51172204
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项目类别:面上项目
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资助金额:67.0万元
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批准年份:2011
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负责人:叶志镇
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依托单位:
优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究
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批准号:90601003
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2006
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负责人:叶志镇
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依托单位:
稳定优质的p型ZnO可控生长与同质ZnO-LED电致发光
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批准号:50532060
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项目类别:重点项目
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2005
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负责人:叶志镇
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依托单位:
能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究
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批准号:90201038
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:160.0万元
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批准年份:2002
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负责人:叶志镇
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依托单位:
硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究
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批准号:60046001
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2000
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负责人:叶志镇
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依托单位:
超高真空CVD生长锗硅应变超晶格及光电特性研究
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批准号:69686002
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:13.0万元
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批准年份:1996
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负责人:叶志镇
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依托单位:
国内基金
海外基金