课题基金 / 基金详情

超高真空CVD生长锗硅应变超晶格及光电特性研究

批准号：
69686002
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
13.0 万元
负责人：
叶志镇
依托单位：
浙江大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
卢焕明、赵炳辉、吴惠桢、汪雷、姜小波、陈伟华、李剑光
关键词：
光电特性SiGe/Si应变超晶格超高真空CVD

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