稳定优质的p型ZnO可控生长与同质ZnO-LED电致发光
批准号:
50532060
项目类别:
重点项目
资助金额:
200.0 万元
负责人:
叶志镇
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
2009
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
朱丽萍、黄靖云、季振国、何海平、张绳百、张孝彬、沙健、汪雷、郭冰
中文摘要
采用高频等离子N离化的MOCVD方法,结合微量共掺技术,开展在体单晶n-ZnO上生长高质量同质ZnO外延层研究,同时研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO可控制备;研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律;根据半导体理论,研究与设计高效ZnO基LED新型结构,由MOCVD技术在ZnO单晶上生长ZnO/ZnMgO多层量子阱结构,研究ZnO中的电子空穴输运机制和激发、复合过程的机理并加以
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DOI:
10.1016/j.jssc.2007.12.032
发表时间:
2008-03
期刊:
Journal of Solid State Chemistry
影响因子:
3.3
作者:
[Q. Ma;Haiping He;Z. Ye;Li-ping Zhu;Jingyun Huang;Yinzhu Zhang;Binghui Zhao]
通讯作者:
Q. Ma;Haiping He;Z. Ye;Li-ping Zhu;Jingyun Huang;Yinzhu Zhang;Binghui Zhao
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
无机材料学报
影响因子:
--
作者:
[唐海平, 何海平, 叶志镇, 朱丽萍, 赵炳辉, 李介胜]
通讯作者:
李介胜
Microstructure and defect investigations of the as-grown and annealed ZnO/Si thin films
生长和退火 ZnO/Si 薄膜的微观结构和缺陷研究
DOI:
10.1063/1.2773633
发表时间:
2007-09
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[Zhao, Binghui, Huang, Jingyun, Ye, Zhizhen, Lu, Huanming, Wang, Lei, He, Haiping]
通讯作者:
He, Haiping
Fine structure on the excitonic emission in AgI nanoparticles embedded in silica glass
嵌入石英玻璃的 AgI 纳米粒子激子发射的精细结构
DOI:
10.1016/j.jlumin.2006.01.365
发表时间:
2007-05
期刊:
Journal of Luminescence
影响因子:
3.6
作者:
[He, Haiping, Wang, Yuxia, Ye, Zhizhen]
通讯作者:
Ye, Zhizhen
Preparation of Li-N-H codoped p-type ZnO films
Li-N-H共掺杂p型ZnO薄膜的制备
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
无机材料学报
影响因子:
--
作者:
[Lu Yang-Fan, Zeng Yu-Jia, Zhu Li-Ping, Ye Zhi-Zhen, Zhao Bing-Hui, Chen Lan-Lan]
通讯作者:
Chen Lan-Lan
共 43 条
Micro LED芯片材料关键基础问题与制备技术
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批准号:U22A20133
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:255.00万元
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批准年份:2022
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负责人:叶志镇
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依托单位:
ZnO发光二极管研制与发光效率提升机制研究
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批准号:91333203
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:350.0万元
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批准年份:2013
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负责人:叶志镇
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依托单位:
MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
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批准号:51172204
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项目类别:面上项目
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资助金额:67.0万元
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批准年份:2011
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负责人:叶志镇
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依托单位:
优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究
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批准号:90601003
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:30.0万元
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批准年份:2006
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负责人:叶志镇
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依托单位:
氧化锌场发射器件的纳米线的设计、可控生长与应用研究
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批准号:50572095
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项目类别:面上项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2005
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负责人:叶志镇
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依托单位:
能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究
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批准号:90201038
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:160.0万元
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批准年份:2002
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负责人:叶志镇
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依托单位:
硅基氮化镓蓝光材料生长与器件研究
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批准号:60046001
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:15.0万元
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批准年份:2000
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负责人:叶志镇
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依托单位:
超高真空CVD生长锗硅应变超晶格及光电特性研究
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批准号:69686002
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项目类别:专项基金项目
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资助金额:13.0万元
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批准年份:1996
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负责人:叶志镇
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依托单位:
国内基金
海外基金