课题基金 / 基金详情

稳定优质的p型ZnO可控生长与同质ZnO-LED电致发光

批准号:
50532060
项目类别:
重点项目
资助金额:
200.0 万元
负责人:
叶志镇
依托单位:
学科分类:
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份:
2009
批准年份:
2005
项目状态:
已结题
项目参与者:
朱丽萍、黄靖云、季振国、何海平、张绳百、张孝彬、沙健、汪雷、郭冰

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
采用高频等离子N离化的MOCVD方法,结合微量共掺技术,开展在体单晶n-ZnO上生长高质量同质ZnO外延层研究,同时研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO可控制备;研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律;根据半导体理论,研究与设计高效ZnO基LED新型结构,由MOCVD技术在ZnO单晶上生长ZnO/ZnMgO多层量子阱结构,研究ZnO中的电子空穴输运机制和激发、复合过程的机理并加以
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI: 10.1016/j.jssc.2007.12.032
发表时间: 2008-03
期刊: Journal of Solid State Chemistry
影响因子: 3.3
作者: [Q. Ma;Haiping He;Z. Ye;Li-ping Zhu;Jingyun Huang;Yinzhu Zhang;Binghui Zhao]
通讯作者: Q. Ma;Haiping He;Z. Ye;Li-ping Zhu;Jingyun Huang;Yinzhu Zhang;Binghui Zhao
DOI: --
发表时间: --
期刊: 无机材料学报
影响因子: --
作者: [唐海平, 何海平, 叶志镇, 朱丽萍, 赵炳辉, 李介胜]
通讯作者: 李介胜
Microstructure and defect investigations of the as-grown and annealed ZnO/Si thin films
生长和退火 ZnO/Si 薄膜的微观结构和缺陷研究
DOI: 10.1063/1.2773633
发表时间: 2007-09
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [Zhao, Binghui, Huang, Jingyun, Ye, Zhizhen, Lu, Huanming, Wang, Lei, He, Haiping]
通讯作者: He, Haiping
Fine structure on the excitonic emission in AgI nanoparticles embedded in silica glass
嵌入石英玻璃的 AgI 纳米粒子激子发射的精细结构
DOI: 10.1016/j.jlumin.2006.01.365
发表时间: 2007-05
期刊: Journal of Luminescence
影响因子: 3.6
作者: [He, Haiping, Wang, Yuxia, Ye, Zhizhen]
通讯作者: Ye, Zhizhen
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    Micro LED芯片材料关键基础问题与制备技术
    • 批准号:
      U22A20133
    • 项目类别:
      联合基金项目
    • 资助金额:
      255.00万元
    • 批准年份:
      2022
    • 负责人:
      叶志镇
    • 依托单位:
    ZnO发光二极管研制与发光效率提升机制研究
    • 批准号:
      91333203
    • 项目类别:
      重大研究计划
    • 资助金额:
      350.0万元
    • 批准年份:
      2013
    • 负责人:
      叶志镇
    • 依托单位:
    MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
    • 批准号:
      51172204
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      67.0万元
    • 批准年份:
      2011
    • 负责人:
      叶志镇
    • 依托单位:
    优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究
    • 批准号:
      90601003
    • 项目类别:
      重大研究计划
    • 资助金额:
      30.0万元
    • 批准年份:
      2006
    • 负责人:
      叶志镇
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金