课题基金 / 基金详情

优质ZnO基多元合金制备及其p型掺杂研究

批准号：
90601003
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
30.0 万元
负责人：
叶志镇
依托单位：
浙江大学
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2007
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
胡幸鸣、李先杭、张银珠、袁国栋、顾修全、马全宝
关键词：
p型掺杂多层量子阱结构ZnO基合金MOCVD技术

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项目成果

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中文摘要
采用高频等离子N离化的MOCVD和PLD方法，制备高质量ZnO外延层及ZnMgO、ZnCdO多元合金晶体薄膜；研究并实现稳定的高浓度、高迁移率的p型ZnO、ZnMgO可控制备；研究ZnO中杂质与缺陷的行为、相互作用与控制规律；探索制备ZnMgO/ZnO多量子结构，为研制实用ZnO基发光二极管奠定基础。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Effect Mg content on structura
Mg含量对结构的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [MX Qiu, ZZ Ye HP He, YZ Zhang]
通讯作者： MX Qiu, ZZ Ye HP He, YZ Zhang
ZnMgO QDs grown by low-pressur
低压生长 ZnMgO 量子点
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [YJ Zeng, ZZ Ye YF Lu, JG Lu L]
通讯作者： YJ Zeng, ZZ Ye YF Lu, JG Lu L
Low-temperature growth of p-ty
p-ty的低温生长
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [YF Lu ZZ Ye* YJ Zeng HP He]
通讯作者： YF Lu ZZ Ye* YJ Zeng HP He
Dual-acceptor p-type behavior
双受体p型行为
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [YJ Zeng ZZ Ye YF Lu, JG Lu WZ]
通讯作者： JG Lu WZ
共 20 条
    Micro LED芯片材料关键基础问题与制备技术
    • 批准号：
      U22A20133
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      255.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      叶志镇
    • 依托单位：
      浙江大学
    ZnO发光二极管研制与发光效率提升机制研究
    • 批准号：
      91333203
    • 项目类别：
      重大研究计划
    • 资助金额：
      350.0万元
    • 批准年份：
      2013
    • 负责人：
      叶志镇
    • 依托单位：
      浙江大学
    MOCVD法制备实用p型ZnO及发光应用的基础研究
    • 批准号：
      51172204
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      67.0万元
    • 批准年份：
      2011
    • 负责人：
      叶志镇
    • 依托单位：
      浙江大学
    氧化锌场发射器件的纳米线的设计、可控生长与应用研究
    • 批准号：
      50572095
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      25.0万元
    • 批准年份：
      2005
    • 负责人：
      叶志镇
    • 依托单位：
      浙江大学
    国内基金
    海外基金