OTFT因具有诸多优点在平板显示与低端/柔性集成电路方面具有广阔的商业应用前景。拟进行具有顶栅、双（多）绝缘层结构的OTFT的工艺制备与器件性能的研究，并解决其与OLED集成为有源矩阵像素所面临的相关问题。我们设计的OTFT器件可在真空室内一次性完成，制备过程避免了玷污及与氧接触，重复性好，稳定性高；且制备工序简单，易于器件微型化与集成化，易于控制器件的工作电压，易于得到高性能的器件。将顶栅、双（多）绝缘层结构的OTFT应用于有源矩阵寻址的平板显示，拟设计并制备8×8阵列的OTFT－OLED显示屏，与其他同类报道的工艺程序相比，其上述的优点尤为突出。基于我们前期的研究基础，预期项目研究可以取得如下成果：OTFT场效应迁移率达到0.5 cm2/Vs，开关电流比达5个数量级，阈值电压低于3 V；实现8×8有源矩阵OTFT－OLED显示屏的实验室制备。