变组分AlGaAs/GaAs NEA光电发射材料研究

批准号:
61067001
项目类别:
地区科学基金项目
资助金额:
25.0 万元
负责人:
邹继军
依托单位:
学科分类:
F0502.光子与光电子器件
结题年份:
2013
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
沈水法、邓文娟、冯林、江伟、金解云、朱志甫、许梦华、黎军华、郑大坤
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中文摘要
变组分AlGaAs/GaAs NEA光电发射材料是指在一定厚度的AlGaAs缓冲层内,生长从AlGaAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变组分AlGaAs层,构建从缓冲层到发射层的内建电场,在内建电场作用下,AlGaAs中产生的光电子很快漂移到发射层,从而提高材料对蓝紫光探测的量子效率和X射线探测的能量分辨率。本项目拟探索变组分AlGaAs/GaAs NEA光电发射材料能带结构和内建电场,并基于内建电场作用下的电子输运,建立变组分AlGaAs/GaAs材料的近红外、可见光量子效率理论和X射线探测理论;基于上述理论对材料结构进行优化设计,利用表面光电压谱、荧光光谱等测试仪器对设计的材料进行性能表征,并通过制备实验验证变组分AlGaAs/GaAs材料的设计思想和理论模型。变组分AlGaAs/GaAs光电发射材料在微光夜视、生物医学、环境监测、核技术、空间探测等领域具有广泛应用前景。
英文摘要
本项目建立了用于光电探测和X射线探测的变组分AlGaAs/GaAs材料光电发射理论模型和数值计算方法。该模型不仅考虑了载流子在变组分材料内建电场作用下的动力学输运过程,而且考虑了材料参数受Al组分含量和掺杂浓度的影响。利用该理论模型对变组分材料用于光电探测和X射线探测的量子效率和分辨力特性进行了仿真分析。理论仿真了反射式GaAs:Cs光电发射材料电子能量分布曲线,并通过实验能量分布曲线的拟合分析得到了GaAs:Cs材料的扩散长度和表面势垒参数。项目设计并生长了10多种不同结构AlGaAs/GaAs材料,利用扫描电镜、电化学C-V、表面光电压谱仪对生长的材料进行了性能表征,提出了一种简单有效的表面光电压谱表征分析方法。在超高真空激活系统中成功制备了大量AlGaAs/GaAs光电发射材料,通过制备实验优化了材料结构,实验结果验证了变组分对提升光电发射材料性能的重要作用。这种作用尤其表现在透射式材料方面,变组分能显著提升透射式材料短波光子量子效率而不影响长波。变组分材料的这些优点使得该材料在微光夜视、生物医学、环境监测、核技术、空间探测等领域具有广泛应用前景。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI:10.1364/ao.51.007662
发表时间:2012-11
期刊:Applied optics
影响因子:1.9
作者:J. Zou;Yijun Zhang;Xincun Peng;Wenjuan Deng;Lin Feng;Benkang Chang
通讯作者:J. Zou;Yijun Zhang;Xincun Peng;Wenjuan Deng;Lin Feng;Benkang Chang
Comparison of the photoemission behaviour between negative electron affinity GaAs and GaN photocathodes
负电子亲和势GaAs和GaN光电阴极光电发射行为的比较
DOI:10.1088/1674-1056/20/4/048501
发表时间:2011-04
期刊:Chinese Physics B
影响因子:1.7
作者:Zhang Yi-Jun;Zou Ji-Jun;Wang Xiao-Hui;Chang Ben-Kang;Qian Yun-Sheng;Zhang Jun-Ju;Gao Pin
通讯作者:Gao Pin
DOI:--
发表时间:2011
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:邹继军;张益军;杨智;常本康
通讯作者:常本康
DOI:10.1063/1.3635401
发表时间:2011-09
期刊:Applied Physics Letters
影响因子:4
作者:Yijun Zhang;Benkang Chang;Jun Niu;J. Zhao;J. Zou;F. Shi;Hongchang Cheng
通讯作者:Yijun Zhang;Benkang Chang;Jun Niu;J. Zhao;J. Zou;F. Shi;Hongchang Cheng
DOI:10.1364/ao.50.005228
发表时间:2011-09
期刊:Applied optics
影响因子:1.9
作者:J. Zou;Yijun Zhang;Wenjuan Deng;Jianfeng Jin;Benkang Chang
通讯作者:J. Zou;Yijun Zhang;Wenjuan Deng;Jianfeng Jin;Benkang Chang
高性能二维位置灵敏半导体中子探测器研究
- 批准号:--
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:55万元
- 批准年份:2022
- 负责人:邹继军
- 依托单位:
光学共振纳米结构GaAs基自旋极化电子源研究
- 批准号:11875012
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:66.0万元
- 批准年份:2018
- 负责人:邹继军
- 依托单位:
电驱动变带隙AlGaAs/GaAs NEA阵列电子源发射机理及制备工艺研究
- 批准号:61661002
- 项目类别:地区科学基金项目
- 资助金额:42.0万元
- 批准年份:2016
- 负责人:邹继军
- 依托单位:
GaAs纳米线阵列光阴极制备及其理论研究
- 批准号:61261009
- 项目类别:地区科学基金项目
- 资助金额:45.0万元
- 批准年份:2012
- 负责人:邹继军
- 依托单位:
GaAs电子源光电发射理论与稳定性机理研究
- 批准号:60801036
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:19.0万元
- 批准年份:2008
- 负责人:邹继军
- 依托单位:
国内基金
海外基金
