GaAs电子源是一种发射电子能量与角度分布集中、发射电流密度大、发射电子脉冲结构好和自旋极化率高的真空电子源，成为当今光电发射领域的一个研究热点。本项目拟通过实验测试和理论计算相结合，探索电子在表面能带弯曲区的输运特性及其对电子源发射效率、发射电子能量与角度分布的影响；揭示GaAs电子源表面电荷限制的形成和作用机理，研究消除这种限制的方法；计算电子源表面势垒与表面模型参数，揭示真空系统中GaAs电子源的稳定性机理；综合考虑多种影响因素，完善GaAs电子源光电发射理论；开展GaAs自旋电子源基础理论研究，探讨应变和超晶格GaAs材料的自旋极化与自旋输运性质，建立GaAs电子源自旋电子发射模型。本项目对推动GaAs电子源的基础理论研究，满足高能核物理、自旋电子学和电子束平面曝光技术等领域对高性能电子源的迫切需求，具有重要的理论意义和实际价值。