高性能二维位置灵敏半导体中子探测器研究
批准号:
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项目类别:
面上项目
资助金额:
55 万元
负责人:
邹继军
依托单位:
学科分类:
外场中的原子分子性质及其调控
结题年份:
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批准年份:
2022
项目状态:
未结题
项目参与者:
邹继军
关键词:
光学共振纳米结构GaAs基自旋极化电子源研究
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批准号:11875012
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项目类别:面上项目
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资助金额:66.0万元
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批准年份:2018
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负责人:邹继军
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依托单位:
电驱动变带隙AlGaAs/GaAs NEA阵列电子源发射机理及制备工艺研究
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批准号:61661002
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项目类别:地区科学基金项目
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资助金额:42.0万元
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批准年份:2016
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负责人:邹继军
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依托单位:
GaAs纳米线阵列光阴极制备及其理论研究
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批准号:61261009
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项目类别:地区科学基金项目
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资助金额:45.0万元
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批准年份:2012
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负责人:邹继军
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依托单位:
变组分AlGaAs/GaAs NEA光电发射材料研究
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批准号:61067001
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项目类别:地区科学基金项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2010
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负责人:邹继军
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依托单位:
GaAs电子源光电发射理论与稳定性机理研究
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批准号:60801036
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:19.0万元
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批准年份:2008
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负责人:邹继军
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依托单位:
国内基金
海外基金