本课题主要研究在GaAs衬底下，用Sb元素诱导分子束外延的方法直接生长GaInNAs长波长发光材料。摸清Sb元素对提高量子阱界面质量、大幅度提高发光效率的生长机理，获得长波长1.3-1.5微光发光材料（室温下），系统地研究其发光物理特性，建立这种新型长波长材料的能带结构物理模型，试制长波长发光器件，为进一步实现长波长面发射激光器奠定基础。