课题基金 / 基金详情

Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料

批准号：
90201026
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
24.0 万元
负责人：
牛智川
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨旭东、方志丹、龚政、苗振华、徐晓华、李树英、王学宇
关键词：
分子束外延.Sb元素.长波长

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
本课题主要研究在GaAs衬底下，用Sb元素诱导分子束外延的方法直接生长GaInNAs长波长发光材料。摸清Sb元素对提高量子阱界面质量、大幅度提高发光效率的生长机理，获得长波长1.3-1.5微光发光材料（室温下），系统地研究其发光物理特性，建立这种新型长波长材料的能带结构物理模型，试制长波长发光器件，为进一步实现长波长面发射激光器奠定基础。
英文摘要
微腔与单量子点耦合单光子发射量子相干探测及器件制备
  • 批准号：
    91321313
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    200.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理
  • 批准号：
    61176012
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    72.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
微腔中量子点单光子及纠缠光子的发射与检测
  • 批准号：
    90921015
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    300.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
半导体量子点非经典光辐射效应研究
  • 批准号：
    10734060
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    200.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
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