原子氢辅助分子束外延生长位置可控量子点
批准号:
60176006
项目类别:
面上项目
资助金额:
21.0 万元
负责人:
牛智川
依托单位:
学科分类:
F0405.半导体器件物理
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
王晓东、汪辉、李树英、苗振华、澜清、周大勇、孔云川
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中文摘要
本课题主要研究在GaAs图形和平面衬底上用原子氢辅助分子束外延的方法,直接生长位置可控、均匀排列的InGaAs自组织量子点列阵结构。通过对外延结构的系统分析建立生长机理模型。深入研究这种均匀量子点的结构特点、发光物理光(量)子信息存储等特性。达到改善量子点位置可控性和均匀性、提高量子点发光特性、以适于激光器应用的目的。
英文摘要
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专利列表
微腔与单量子点耦合单光子发射量子相干探测及器件制备
- 批准号:91321313
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:200.0万元
- 批准年份:2013
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理
- 批准号:61176012
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:72.0万元
- 批准年份:2011
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
微腔中量子点单光子及纠缠光子的发射与检测
- 批准号:90921015
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:300.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
半导体量子点非经典光辐射效应研究
- 批准号:10734060
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:200.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
- 批准号:90201026
- 项目类别:重大研究计划
- 资助金额:24.0万元
- 批准年份:2002
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
InGaAs/GaAs应变量子线生长、发光性质及器件应用研究
- 批准号:69606005
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:1996
- 负责人:牛智川
- 依托单位:
国内基金
海外基金















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