InGaAs/GaAs应变量子线生长、发光性质及器件应用研究
批准号:
69606005
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
牛智川
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
1999
批准年份:
1996
项目状态:
已结题
项目参与者:
周增圻、林耀旺、王小军、吕振东、韩勤、张益、李新峰
微腔与单量子点耦合单光子发射量子相干探测及器件制备
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批准号:91321313
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2013
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负责人:牛智川
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依托单位:
InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理
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批准号:61176012
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项目类别:面上项目
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资助金额:72.0万元
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批准年份:2011
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负责人:牛智川
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依托单位:
微腔中量子点单光子及纠缠光子的发射与检测
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批准号:90921015
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:300.0万元
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批准年份:2009
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负责人:牛智川
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依托单位:
半导体量子点非经典光辐射效应研究
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批准号:10734060
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项目类别:重点项目
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资助金额:200.0万元
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批准年份:2007
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负责人:牛智川
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依托单位:
Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
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批准号:90201026
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项目类别:重大研究计划
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2002
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负责人:牛智川
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依托单位:
原子氢辅助分子束外延生长位置可控量子点
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批准号:60176006
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项目类别:面上项目
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资助金额:21.0万元
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批准年份:2001
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负责人:牛智川
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依托单位:
国内基金
海外基金