课题基金基金详情
InGaAs/GaAs应变量子线生长、发光性质及器件应用研究
批准号：
69606005
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
牛智川
依托单位：
中国科学院半导体研究所
学科分类：
F0405.半导体器件物理
结题年份：
1999
批准年份：
1996
项目状态：
已结题
项目参与者：
周增圻、林耀旺、王小军、吕振东、韩勤、张益、李新峰
关键词：
量子线应变MBE
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点，提供专业选题建议
深度指导申报书撰写，确保创新可行
指导项目中标800+，快速提高中标率
客服二维码
微信扫码咨询
微腔与单量子点耦合单光子发射量子相干探测及器件制备
  • 批准号：
    91321313
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    200.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理
微腔中量子点单光子及纠缠光子的发射与检测
  • 批准号：
    90921015
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    300.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
半导体量子点非经典光辐射效应研究
Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
  • 批准号：
    90201026
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2002
  • 负责人：
    牛智川
  • 依托单位：
    中国科学院半导体研究所
原子氢辅助分子束外延生长位置可控量子点
国内基金
海外基金