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半导体量子点非经典光辐射效应研究
结题报告
批准号:
10734060
项目类别:
重点项目
资助金额:
200.0 万元
负责人:
牛智川
学科分类:
A20.凝聚态物理
结题年份:
2011
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
李传锋、何力新、倪海桥、贺振宏、徐应强、吴东海、许金时、陈耕、窦秀明
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中文摘要
基于半导体量子点的量子态调控研究是目前量子信息领域的前沿课题之一。本项目主要研究单量子点制备及其激子波函数量子干涉现象;垂直耦合双量子点生长及其激子态耦合效应;微腔量子点耦合结构制备及其非经典光辐射机理。采用分子束外延方法,突破低密度、空间有序、垂直耦合等InAs自组织量子点的生长技术。设计生长AlAs/GaAs分布布拉格反射平面微腔,采用电子束曝光和离子刻蚀制备单量子点微腔耦合结构。研究锁相光脉冲激发单量子点激子相干光驰豫过程及量子干涉现象,为实现量子态波函数剪裁叠加等量子调控提供物理依据。研究电场下垂直耦合双量子点间载流子隧穿、库仑相互作用机制及其激子耦合效应,为采用耦合激子态构建量子比特的操作提供物理依据。研究电泵浦、光泵浦微腔量子点光辐射场光子关联和统计特性,为研制微腔量子点结构单光子发射器件奠定物理基础。
英文摘要
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DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:李园;窦秀明;孙宝权;常秀英;倪海桥;牛智川
通讯作者:牛智川
DOI:--
发表时间:--
期刊:物理学报
影响因子:--
作者:李园;窦秀明;倪海桥;常秀英;孙宝权;牛智川
通讯作者:牛智川
DOI:--
发表时间:--
期刊:Acta Phys. Sin., (物理学报)
影响因子:--
作者:韩勤
通讯作者:韩勤
Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes
低阈值电流密度1.3μm变质InGaAs/GaAs量子阱激光二极管
DOI:--
发表时间:--
期刊:Electronics Letters
影响因子:1.1
作者:Niu, Z.;Han, Q.;Xiong, Y.;Ni, H.;Wu, B.;Wang, P.;Wang, S. M.;Huang, S.;Tangring, I.;Wu, D.;Wang, H.
通讯作者:Wang, H.
微腔与单量子点耦合单光子发射量子相干探测及器件制备
  • 批准号:
    91321313
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    200.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    牛智川
  • 依托单位:
InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理
微腔中量子点单光子及纠缠光子的发射与检测
  • 批准号:
    90921015
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    300.0万元
  • 批准年份:
    2009
  • 负责人:
    牛智川
  • 依托单位:
Sb元素诱导分子束外延生长GaInNAs长波长量子阱材料
  • 批准号:
    90201026
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2002
  • 负责人:
    牛智川
  • 依托单位:
原子氢辅助分子束外延生长位置可控量子点
InGaAs/GaAs应变量子线生长、发光性质及器件应用研究
  • 批准号:
    69606005
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    10.0万元
  • 批准年份:
    1996
  • 负责人:
    牛智川
  • 依托单位:
国内基金
海外基金