图形化硅衬底上的锗硅量子点的可控生长和特性研究
批准号:
10704018
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
25.0 万元
负责人:
钟振扬
依托单位:
学科分类:
表面界面与低维物理
结题年份:
2010
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
陈培炫、章 斌、陶镇生、林健晖、樊永良、胡际璜
中文摘要
异质外延生长过程中的自组织量子点是目前小量子体系研究的一个重要对象。在平面上随机形成的自组织量子点由于其空间分布的不均匀往往导致了其尺寸的不均匀和其间相互作用的不均匀。这些不均匀性阻碍了对自组织量子点物理特性的研究及其应用。本课题利用锗硅系统来研究表面微结构,纳米尺度的一维沟道或二维小坑结构,和生长条件对自组织量子点组分、尺寸和空间分布的影响。研究表面微结构对吸附原子迁移的影响,促进对异质外延生长的内在机理的认识;探索在具有表面微结构的Si 衬底上的GeSi量子点的可控生长条件,实现GeSi量子点的可控有序生长; 研究空间有序的量子点的物理特性,包括局域于不同量子点内载流子的耦合特性随量子点结构和空间分布的关系;促进适用于硅基上的集成化芯片的新型元器件的研究。
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DOI:
10.1088/0957-4484/21/17/175701
发表时间:
2010-04
期刊:
Nanotechnology
影响因子:
3.5
作者:
[Yanwu Chen;Bingying Pan;T. Nie;Peixuan Chen;F. Lu;Zuimin Jiang;Z. Zhong]
通讯作者:
Yanwu Chen;Bingying Pan;T. Nie;Peixuan Chen;F. Lu;Zuimin Jiang;Z. Zhong
Circularly organized quantum dot nanostructures of Ge on Si substrates
Si 基底上圆形组织的 Ge 量子点纳米结构
DOI:
--
发表时间:
2009
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[Zhong, Zhenyang, Jiang, Zuimin, Lu, Fang, An, Zhenghua]
通讯作者:
An, Zhenghua
Systematic studies of the photoluminescence of Ge quantum dots grown on strained Si0.7Ge0.3 buffer layer
应变Si0.7Ge0.3缓冲层上Ge量子点光致发光的系统研究
DOI:
10.1063/1.2901873
发表时间:
2008-03
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[Lu, F., Zhong, Zhenyang, Yang, H., Jiang, Z., Lin, J., Tao, Z.]
通讯作者:
Tao, Z.
Temperature dependence of ordered GeSi island growth on patterned Si (001) substrates
图案化 Si (001) 衬底上有序 GeSi 岛生长的温度依赖性
DOI:
10.1063/1.2965484
发表时间:
2008-07-28
期刊:
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子:
4
作者:
[Zhong, Zhenyang, Chen, Peixuan, Bauer, Guenther]
通讯作者:
Bauer, Guenther
The fabrication and application of patterned Si(001) substrates with ordered pits via nanosphere lithography
纳米球光刻有序凹坑图案化Si(001)衬底的制备及应用
DOI:
10.1088/0957-4484/20/9/095303
发表时间:
2009-03-04
期刊:
NANOTECHNOLOGY
影响因子:
3.5
作者:
[Chen, Peixuan, Fan, Yongliang, Zhong, Zhenyang]
通讯作者:
Zhong, Zhenyang
共 8 条
硅衬底上基于量子点的人工石墨烯特性探索
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批准号:--
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项目类别:面上项目
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资助金额:56万元
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批准年份:2022
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负责人:钟振扬
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依托单位:
硅基新型可控Ge量子点/SiGe薄膜微腔耦合结构的系统研究
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批准号:12074077
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项目类别:面上项目
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资助金额:63.0万元
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批准年份:2020
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负责人:钟振扬
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依托单位:
硅基可控金属/GeSi混合纳米结构的物性和应用研究
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批准号:11774062
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项目类别:面上项目
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资助金额:66.0万元
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批准年份:2017
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负责人:钟振扬
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依托单位:
可控自组织锗硅量子点物理特性的系统研究
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批准号:11474055
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项目类别:面上项目
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资助金额:94.0万元
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批准年份:2014
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负责人:钟振扬
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依托单位:
有序Ge量子点和量子线的生长和物理特性探索
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批准号:10974031
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项目类别:面上项目
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资助金额:36.0万元
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批准年份:2009
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负责人:钟振扬
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依托单位:
国内基金
海外基金