复合多晶硅栅射频高增益MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计，得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末端的最大场强，降低了热电子效应，抑制了短沟道效应。本课题已经得到国家自然科学基金小额预研项目"复合多晶硅栅射频MOSFET的研究"的资助，并已取得相应成果。本课题是该课题的延续性研究，创新之处在于用与CMOS兼容的工艺、同质材料实现了异质栅MOSFET才能具有的优良性能，提高了RF MOSFET高频性能。