复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
批准号：
60876062
项目类别：
面上项目
资助金额：
31.0 万元
负责人：
陈军宁
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
孟坚、卜锡滨、吴秀龙、代月花、王阳、刘琦、鲁世斌、蒋先伟、王辉
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
复合多晶硅栅射频高增益MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计，得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末端的最大场强，降低了热电子效应，抑制了短沟道效应。本课题已经得到国家自然科学基金小额预研项目"复合多晶硅栅射频MOSFET的研究"的资助，并已取得相应成果。本课题是该课题的延续性研究，创新之处在于用与CMOS兼容的工艺、同质材料实现了异质栅MOSFET才能具有的优良性能，提高了RF MOSFET高频性能。
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Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory
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DOI：
10.1007/s11434-010-4255-4
发表时间：
2011-03
期刊：
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影响因子：
--
作者：
[Lian, WT, Li, YT, Liu, Q, Wang, Y, Lu, HB, Liu, M, Dai, YH, Chen, JN, Long, SB, Huo, ZL, Zhang, S]
通讯作者：
Zhang, S
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
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影响因子：
--
作者：
[高珊, 金林, 陈军宁, 褚蕾蕾]
通讯作者：
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发表时间：
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作者：
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通讯作者：
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DOI：
10.1088/0268-1242/26/11/115008
发表时间：
2011-10
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
[Liu, J, Zhang, B, Jiang, DD, Bai, J, Zhang, MH, Liu, M, Huo, ZL, Jin, L, Liu, J, Yang, XN, Wang, Y, Yu, ZA, Chen, JN]
通讯作者：
Chen, JN
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
微电子学与计算机
影响因子：
--
作者：
[柯导明, 陈军宁, 孟坚, 高珊]
通讯作者：
高珊
共 13 条
复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
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批准号：60644007
-
项目类别：专项基金项目
-
资助金额：8.0万元
-
批准年份：2006
-
负责人：陈军宁
-
依托单位：
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
-
批准号：60576066
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：21.0万元
-
批准年份：2005
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负责人：陈军宁
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依托单位：
亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
-
批准号：60276042
-
项目类别：面上项目
-
资助金额：22.0万元
-
批准年份：2002
-
负责人：陈军宁
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依托单位：
国内基金
海外基金