复合多晶硅栅射频MOSFET的研究-猫眼课题宝

权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

复合多晶硅栅射频MOSFET的研究

结题报告

批准号：

60644007

项目类别：

专项基金项目

资助金额：

8.0 万元

负责人：

陈军宁

依托单位：

安徽大学

学科分类：

F0405.半导体器件物理

结题年份：

2007

批准年份：

2006

项目状态：

已结题

项目参与者：

柯导明、徐超、代月花、孟坚、谭守标、李正平、刘磊、刘琦、孙家讹

关键词：

复合多晶硅栅 MOSFET..高截止频率高增益

国基评审专家1V1指导中标率高出同行96.8%

中文摘要

复合多晶硅栅射频MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计，得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末

英文摘要

期刊论文列表

专著列表

科研奖励列表

会议论文列表

专利列表

高压LDMOS I-V特性宏模型的建立

DOI：--

发表时间：--

期刊：

《微电子学与计算机》，第24卷，第8期，p11-13，2007年8月

影响因子：--