复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
批准号：
60644007
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
8.0 万元
负责人：
陈军宁
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2007
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
柯导明、徐超、代月花、孟坚、谭守标、李正平、刘磊、刘琦、孙家讹
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
复合多晶硅栅射频MOSFET采用栅工程的概念，通过对栅的设计，得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成，S-gate用高功函数p多晶硅，D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压，沟道中产生阶梯分布电势，电场沿沟道有一个峰值，载流子可以得到更大的漂移速度，其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末
英文摘要
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
《微电子学与计算机》，第24卷，第8期，p11-13，2007年8月
影响因子：
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作者：
[]
通讯作者：
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
《微电子学》，第36卷，第6期，P810-813，2006年12月
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
《微电子学与计算机》，第24卷，第11期，p17-20，2007年11月
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
《中国科学与技术大学学报》，第37卷，第11期，2007年11月
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Modeling of Gate Capacitance f
栅极电容 f 的建模
栅极电容 f 的建模
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 8 条
复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
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批准号：60876062
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项目类别：面上项目
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资助金额：31.0万元
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批准年份：2008
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负责人：陈军宁
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依托单位：
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
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批准号：60576066
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项目类别：面上项目
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资助金额：21.0万元
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批准年份：2005
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负责人：陈军宁
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依托单位：
亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
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批准号：60276042
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项目类别：面上项目
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资助金额：22.0万元
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批准年份：2002
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负责人：陈军宁
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依托单位：
国内基金
海外基金