亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
批准号：
60276042
项目类别：
面上项目
资助金额：
22.0 万元
负责人：
陈军宁
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘卫东、柯导明、赵海峰、孟坚、魏敬和、戴月花、高珊、朱德智、朱先宁
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中文摘要
本项目针对SPICE和BS IM的不足之处，建立用于电路模拟的超深亚微米MOSFET载流子速度过冲效应模型，量子化效应模型，亚阈区电容 模型、SOI结构的浮置体效应和history效应模型、器件特性的温度效应模型、RF频率下输 运电流的非静态模型和诱致栅热噪声模型，并将它们写入SPICE3F5程序中，最终建立体硅和SOI结构MOSFET的统一电荷、电流和电容模型。
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DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
电子学报
影响因子：
--
作者：
[魏敬和, 陈军宁, 柯导明, 时龙兴, 陆生礼, 樊进]
通讯作者：
樊进
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国科学技术大学学报
影响因子：
--
作者：
[孟坚, 陈军宁, 柯导明, 孙伟锋, 时龙兴, 王钦]
通讯作者：
王钦
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
中国科学技术大学学报
影响因子：
--
作者：
[代月花, 陈军宁, 柯导明, 吴秀龙, 徐超]
通讯作者：
徐超
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[孟坚, 高珊, 陈军宁, 柯导明, 孙伟锋, 时龙兴, 徐超]
通讯作者：
徐超
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹]
通讯作者：
孙家讹
共 13 条
复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
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批准号：60876062
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项目类别：面上项目
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资助金额：31.0万元
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批准年份：2008
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负责人：陈军宁
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依托单位：
复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
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批准号：60644007
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：8.0万元
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批准年份：2006
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负责人：陈军宁
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依托单位：
异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型
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批准号：60576066
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项目类别：面上项目
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资助金额：21.0万元
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批准年份：2005
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负责人：陈军宁
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依托单位：
国内基金
海外基金