新型三维超结表面低阻通道横向功率MOS器件
批准号：
60576052
项目类别：
面上项目
资助金额：
25.0 万元
负责人：
张波
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
陈林、陈万军、王卓、向军利、衡草飞、曾天志
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
高速、低损耗、可集成的功率器件是目前功率半导体乃至集成电路研究的热点。本项目首次提出三维超结（super junction）表面低阻通道横向功率MOS器件――SLOP-LDMOS (surface low on-resistance path lateral double-diffusion MOS)新结构。新结构引入的三维超结位于横向功率器件漂移区浅表面，通过三维超结结构的Z方向电场以提供开态时的低阻通道，器件主要耐压仍由三维超结下的常规RESURF结构所承担，异于习用超结作为耐压层以同时提供耐压和低阻的思路。新结构为一普适结构，可扩展到其它功率器件研究中，易于集成，能实现高速、高压、低阻且与低压器件兼容的目的。本项目是一项具有国际先进水平的基础性开拓研究，具有重要意义。
英文摘要
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A Novel Super-Junction LDMOST Concept with Split p column s
具有分裂 p 柱的新型超级结 LDMOST 概念
具有分裂 p 柱的新型超级结 LDMOST 概念
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Journal of Electronic Science and Technology of China
影响因子：
--
作者：
[ZHANG Bo, CHEN Lin, ZHENG Xin]
通讯作者：
ZHENG Xin
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[段宝兴, 张波, 李肇基]
通讯作者：
李肇基
High-Voltage SOI SJ-LDMOS With a Nondepletion Compensation Layer
具有非耗尽补偿层的高压 SOI SJ-LDMOS
具有非耗尽补偿层的高压 SOI SJ-LDMOS
DOI：
10.1109/led.2008.2008208
发表时间：
2009
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
[Wenlian Wang, Bo Zhang]
通讯作者：
Bo Zhang
太赫兹固态收发前端关键技术及其应用研究
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批准号：--
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项目类别：优秀青年科学基金项目
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资助金额：120万元
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批准年份：2020
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负责人：张波
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依托单位：
太赫兹星间高速传输技术
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批准号：91738102
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：85.0万元
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批准年份：2017
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负责人：张波
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依托单位：
太赫兹成像系统前端小型化变频机理及其应用研究
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批准号：61771116
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项目类别：面上项目
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资助金额：62.0万元
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批准年份：2017
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负责人：张波
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依托单位：
太赫兹变容二极管非线性精确建模及其倍频应用研究
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批准号：61301051
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项目类别：青年科学基金项目
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资助金额：27.0万元
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批准年份：2013
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负责人：张波
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依托单位：
宽禁带半导体大功率电力电子器件的可靠性研究
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批准号：61234006
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项目类别：重点项目
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资助金额：310.0万元
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批准年份：2012
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负责人：张波
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依托单位：
高速高压IGBT瞬态抽出模型与新结构
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批准号：61076082
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项目类别：面上项目
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资助金额：48.0万元
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批准年份：2010
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负责人：张波
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依托单位：
国内基金
海外基金