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7稀土金属离子注入氮化镓制备发白光芯片
结题报告
批准号：
10345006
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
刘昌
依托单位：
武汉大学
学科分类：
A3003.离子注入及离子束材料改性
结题年份：
2004
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
赵文宽、叶明生、付强、路险峰
关键词：
白光芯片..GaN稀土金属:离子注入
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中文摘要
GaN对稀土元素的光发射无吸收、热猝灭程度低，非常适合于稀土金属掺杂。跟有机光发射二极管和传统的异质结二极管相比，掺稀土元素的GaN电致发光管光发射谱线窄，器件结构简单。目前已实现了掺稀土元素Eu发红光，掺Er发绿光，掺Tm发蓝光，而且三基色光都可在室温下获得，发光强度高，肉眼清晰可见。在CIE色度图上，GaN:Eu(红光) GaN:Er(绿光) GaN:Tm(兰光)的x、y坐标非常接近NTSC电
英文摘要
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离子注入制备Ga2O3 n-沟道场效应晶体管
  • 批准号：
    11875212
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    66.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
原子层沉积法制备硅基m面ZnO紫外发光二极管及金属纳米颗粒表面等离激元耦合增强发光研究
  • 批准号：
    11574235
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    73.0万元
  • 批准年份：
    2015
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管
  • 批准号：
    11175135
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    72.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
基于纳米结构的金属-绝缘体-金属超大容量电容器
  • 批准号：
    11074192
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    48.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
离子注入GaN绝缘衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管
  • 批准号：
    10775110
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    38.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
离子注入宽禁带半导体（GaN和ZnO）的非晶化研究
  • 批准号：
    10475063
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    32.0万元
  • 批准年份：
    2004
  • 负责人：
    刘昌
  • 依托单位：
    武汉大学
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