离子注入宽禁带半导体（GaN和ZnO）的非晶化研究
批准号：
10475063
项目类别：
面上项目
资助金额：
32.0 万元
负责人：
刘昌
依托单位：
学科分类：
粒子束与物质相互作用
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
赵文宽、艾志伟、李承斌、张蕾、梅菲
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
离子注入掺杂GaN外延薄膜会引起晶格膨胀，其程度正比于注入离子的剂量，过度的晶格膨胀会导致局部晶格崩溃，形成孤立的非晶核，而积累这些非晶核，直到形成连续的非晶层，应该是离子注入GaN非晶化的机理。用高分辨率电子显微镜寻找这些被晶体包围着的非晶核，观察它们随入射离子剂量的增加而长大，并和邻近非晶核叠加，最终形成连续非晶层的全过程，从而证实并完善本课题申请人提出的GaN非晶化模型。ZnO和GaN具有相似的晶格参数和禁带宽度，因此，检验上述的非晶化模型是否也适用于ZnO，并进一步推广到一般的宽禁带半导体，无疑具有十分重大的学术意义。同时，局部非晶化阈值剂量的确定，对于将来在工业生产中应用离子注入方法进行ｐ型掺杂，避免形成局部非晶化引起的常规热退火处理无法消除的晶格损伤，有着重大的指导意义。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ma Shengli, Xu Kewei, Jie Wanq]
通讯作者：
Ma Shengli, Xu Kewei, Jie Wanq
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[L. Zhang, F. Q. Liu,, C. Li]
通讯作者：
C. Li
Self-assembly of aligned ZnO n
定向ZnO n 的自组装
定向ZnO n 的自组装
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[L. Liao, J. C. Li, D. H. Liu,]
通讯作者：
L. Liao, J. C. Li, D. H. Liu,
Effect of annealing temperatur
退火温度的影响
退火温度的影响
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xue shou-bin, Zhuang hui-zhao*]
通讯作者：
Xue shou-bin, Zhuang hui-zhao*
共 22 条
离子注入制备Ga2O3 n-沟道场效应晶体管
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批准号：11875212
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项目类别：面上项目
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资助金额：66.0万元
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批准年份：2018
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负责人：刘昌
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依托单位：
原子层沉积法制备硅基m面ZnO紫外发光二极管及金属纳米颗粒表面等离激元耦合增强发光研究
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批准号：11574235
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项目类别：面上项目
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资助金额：73.0万元
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批准年份：2015
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负责人：刘昌
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依托单位：
离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管
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批准号：11175135
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项目类别：面上项目
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资助金额：72.0万元
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批准年份：2011
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负责人：刘昌
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依托单位：
基于纳米结构的金属-绝缘体-金属超大容量电容器
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批准号：11074192
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项目类别：面上项目
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资助金额：48.0万元
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批准年份：2010
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负责人：刘昌
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依托单位：
离子注入GaN绝缘衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管
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批准号：10775110
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项目类别：面上项目
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资助金额：38.0万元
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批准年份：2007
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负责人：刘昌
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依托单位：
7稀土金属离子注入氮化镓制备发白光芯片
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批准号：10345006
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项目类别：专项基金项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：2003
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负责人：刘昌
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依托单位：
国内基金
海外基金