本项目采用原子层沉积的方法在石英玻璃衬底上制备出性能相对优异的AZO薄膜，电阻率达到1.4×10-3 Ω.cm（厚度仅为100 nm），薄膜表面粗糙度可以低至1.5 nm，远低于其他方法制备的AZO薄膜。在AZO的基础上，为了增大电容密度和控制漏电流，介质层选用了Al2O3/TiO2/Al2O3的叠层结构。而且，为了制备出绝缘性能更好的TiO2，我们选用了氧化性更强的臭氧（O3）代替水（H2O）。通过优化生长工艺，得到了最高的电容密度达到14 fF/um2，对应介电常数41。采用臭氧作为氧化剂，可以将漏电流密度降到2×10-9 A/cm2 (在1V)。最后，我们对器件性能进行了测试和分析，发现如果能够降低AZO电阻率，就可以进一步减少电容器的高频损耗。..本项目执行期，课题组发表了SCI论文12篇，包括3篇APL，1篇Nanotechnology，1篇IEEE Electron Device Letters，1篇Scientific Reports，申请国家发明专利1项，国际会议邀请报告1个，小型会议或者双边会议邀请报告8个，主办了国际（含双边）会议5次，国内会议1次。