离子注入制备InN基n-沟道铁电场效应晶体管

本项目采用分子束外延技术生长氮化铟InN薄膜，其（0002）面半高宽为498.4弧秒，接近文献报道的最好水平。研究了不同Mg源温度掺杂对InN性质的影响，发现随着Mg源温度增加，InN从n型变成p型，最后又变成n型的过程。在p型InN薄膜上，利用原子层沉积的方法制备介电薄膜氧化铝（Al2O3），得到InN基金属-氧化物-半导体（MOS）结构，为首次报道的InN基MOS结构。研究其漏电性质，在1V时漏电流密度仅为1.35×10-9 A/cm2，为Al2O3作为介电层所报道的最佳值之一，开展了Si、Cr等离子注入InN和GaN薄膜的研究，设计并制备了InN基n-沟道铁电场效应晶体管全套光刻板，并进行了器件加工，目前正在评价器件综合性能 。.本项目执行期，课题组发表了标注本基金号的SCI论文21篇，包括4篇Appl. Phys. Lett.，1篇Nanotechnology，1篇Scientific Reports，1篇ACS Appl. Mater. Interface，获得国家发明专利1项，同时转让了1项发明专利，国际会议邀请报告3个，小型会议或者双边会议邀请报告10个，主办了国际（含双边）会议3次，国内会议4次。