SiC是一种非常重要的半导体材料，传统的沿c面生长的SiC单晶中存在着大量的微管缺陷从而影响器件的应用，同时以c面为衬底生长GaN发光二极管会产生内建电场影响发光效率，这些不利因素都阻碍了SiC单晶衬底的应用。而沿非c面生长SiC单晶有望解决这些问题。本项目拟优选适合6H-SiC单晶生长的非c面，采用升华法进行单晶生长。研究生长参数如温度、温度梯度、压力对生长速度的影响。研究非c面生长的6H-SiC单晶的缺陷种类及空间发展变化过程，从而了解缺陷产生的机理。以此为基础，进一步优选适宜6H-SiC单晶生长的生长面，并优化工艺，得到高质量的6H-SiC单晶。