3C-SiC自支撑衬底及其金属氧化物场效应晶体管（MOSFETs）研究
批准号：
60606003
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
34.0 万元
负责人：
罗木昌
依托单位：
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2009
批准年份：
2006
项目状态：
已结题
项目参与者：
孙国胜、赵永梅、段垚、赵万顺、王雷、刘兴昉
项目摘要
结项摘要
项目成果
相似基金
相关文献
中文摘要
碳化硅是一种具有极其优异性能的宽禁带半导体材料，在碳化硅的所有多形体中，立方相的SiC(3C-SiC)具有最佳的电学性质，但是由于缺乏体单晶的衬底限制了这种材料在电子器件和传感器的进展。本项目旨在开发一种低缺陷密度的3C-SiC自支撑的衬底材料，其基本思想是首先对Si衬底进行预先微纳加工表面改性的方法以实现3C-SiC在Si衬底上异质外延生长，然后将Si衬底剥离形成3C-SiC自支撑衬底。为达到此
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
登录
查看更多内容
Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor
采用 TCS 作为硅前驱体在 4H-SiC 上进行外延生长
采用 TCS 作为硅前驱体在 4H-SiC 上进行外延生长
DOI：
10.1088/1674-4926/30/9/093006
发表时间：
2009-09
期刊：
Journal of Semiconductors
影响因子：
5.1
作者：
[Wang, Lei, Sun, Guosheng, Liu, Xingfang, Ji, Gang, Zeng, Yiping, Li, Jinmin, Zhao, Wanshun]
通讯作者：
Zhao, Wanshun
Effect of mesa structures on the responsivities of 4H-SiC photodetectors
台面结构对4H-SiC光电探测器响应度的影响
台面结构对4H-SiC光电探测器响应度的影响
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[Zhao, Wanshun, Li, Jinmin, Sun, Guosheng, Li, Jiaye, Zhao, Yongmei, Zeng, Yiping, Wang, Lei, Ning, Jin, Liu, Xingfang, Luo, Muchang]
通讯作者：
Luo, Muchang
Laterally electrostatically driven poly 3C-SiC folded-beam resonant microstructures
横向静电驱动多晶3C-SiC折叠梁谐振微结构
横向静电驱动多晶3C-SiC折叠梁谐振微结构
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[Li, Jinmin, Zhao, Wanshun, 王亮, 赵万顺, Ning, Jin, 宁瑾, 赵永梅, Zhao, Yongmei, 李晋闽, Wang, Lei, Wang, Liang, Sun, Guosheng, 曾一平, Zeng, Yiping, 孙国胜, 刘兴坊, Liu, Xingfang, 王雷]
通讯作者：
王雷
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC films on maskless patterned silicon substrates
无掩模图案化硅衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延生长
无掩模图案化硅衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延生长
DOI：
--
发表时间：
2008-08
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[赵万顺, Sun, Guosheng, 宁瑾, Li, Jinmin, 王雷, Zhao, Yongmei, Zhao, Wanshun, 李晋闽, 赵永梅, Liu, Xingfang, Wang, Lei, Ning, Jin, 刘兴昉, 孙国胜]
通讯作者：
孙国胜
Mechanism of thermal oxidation of 3C-SiC grown on Si
Si上生长的3C-SiC的热氧化机理
Si上生长的3C-SiC的热氧化机理
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报
影响因子：
--
作者：
[Liu, Xingfang, Luo, Muchang, Li, Jinmin, Sun, Guosheng, Zhao, Wanshun, Li, Jiaye, Zhao, Yongmei, Wang, Lei]
通讯作者：
Wang, Lei
共 8 条
国内基金
海外基金